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深圳維爾克斯光電有限公司


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PSD位敏探測器(一維/二維)

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更新時間：2024-02-07 10:03:47瀏覽次數(shù)：179次

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經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：648條

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產(chǎn)品簡介

一維/二維位敏探測器SiTek是在偏置模式下工作，一維位置感應(yīng)探測器和SiTek二維PSD的位置非線性分別是±0.1%和±0.3%，PSD探測器主要應(yīng)用于距離和高度測量、校準、位置和運動測量等。

詳細介紹

SiTek位敏探測器PSD，高分辨率，位置非線性±0.1%和±0.3%


適用于所有一維/二維位敏探測器SiTek的通用數(shù)據(jù)：

- 典型熱漂移：1L(一維)系列為20 ppm/°C，2L(二維)系列為40ppm/°C

- 偏置電壓：5-20V

- 工作溫度：70°C

- 存儲溫度：100°C


一維/二維位敏探測器SiTek規(guī)格數(shù)據(jù)是在以下條件下測量的：

- 偏壓=15V

- 溫度23°C

- 位置非線性和熱漂移的測量范圍為探測器長度的80%

- 熱漂移的測量范圍為23°C至70°C

- 除非另有說明，否則所有數(shù)值均為典型值

- 有關(guān)詳細數(shù)據(jù)，請參閱各數(shù)據(jù)表


      一維/二維位敏探測器SiTek是在偏置模式下工作，一維位置感應(yīng)探測器和SiTek二維PSD的位置非線性分別是±0.1%和±0.3%，PSD探測器主要應(yīng)用于距離和高度測量、校準、位置和運動測量等。

瑞典SiTek在生產(chǎn)位置感應(yīng)探測器方面具有幾十年的經(jīng)驗，注重分辨率、線性度和品質(zhì)，很受客戶的青睞。位置感應(yīng)探測器(Position Sensing Detector, PSD)，也叫位置傳感器PSD，是一種光電設(shè)備，可將入射光點轉(zhuǎn)換為連續(xù)的位置數(shù)據(jù)。一維/二維位敏探測器SiTek具有分辨率高、響應(yīng)速度快、線性度好的特點，適用于各種光強，而且操作電路簡單。

SiTek探測器主要有兩種類型：一維和二維。SiTek位敏探測器PSD根據(jù)側(cè)面效應(yīng)光電二極管原理工作，具有出色的位置分辨率。PSD位敏探測器(一維/二維)分辨率由系統(tǒng)信噪比決定，而且是在偏置模式下工作。另外，SiTek還可提供特殊的紫外UV或YAG增強型和核型版本(Nuclear versions)。

圖1：PSD位敏探測器(一維/二維)圖示


SiTek位敏探測器PSD的特點：

- 將光點或輻射點的位置轉(zhuǎn)換為信號電流

- PSD探測器具備出色的位置分辨率和線性度

- 光譜響應(yīng)范圍廣

- 可在各種光照或輻射強度下工作

- 響應(yīng)時間短

- 同時測量光或輻射強度的位置

- 不受光點或輻射點聚焦的影響

- 動態(tài)范圍廣


SiTek位敏探測器PSD的應(yīng)用：

- 距離和高度測量

- 校準、位置運動測量和振動研究

- 非接觸式距離測量系統(tǒng)（三角測量法）

- 校準和表面水平測量

- 定位和運動測量系統(tǒng)

- 光學光譜分析儀

- 三維機器視覺（輪廓映射）

- 角度測量系統(tǒng)


一維位敏探測器(1-dimensional PSD)快速參考數(shù)據(jù)規(guī)格表：

- 位置非線性：±0.1%

- 探測器電阻：50kohm

Part.NO

型號

有效面積(mm)

漏電流(nA)

Leakage current

Noise干擾電流pA/Hz

電容(pF)

上升時間(10-90%)(µs)

標準封裝

S1-0001

1L2.5_CP2

2.5x0.6

2

0.4

1.6

0.03

14針 DIL

S1-0065

1L2.5_CP1

2.5x0.6

2

0.4

1.6

0.03

4針 DIL

S1-0003

1L5_CP2

5.0x1.0

4

0.4

5

0.05

14針 DIL

S1-0009

1L5_CP1

5.0x1.0

4

0.4

5

0.05

4針 DIL

S1-0005

1L10_CP2

10x2

8

0.4

15

0.2

14針 DIL

S1-0236

1L10_SU70

10x2

8

0.4

15

0.2

SMD

S1-0006

1L20_CP3

20x3

60

0.5

45

0.5

22針 DIL

S1-0007

1L30_SU2

30x4

150

0.7

90

1

基底

S1-0247

1L45_SU69

45x3

110

0.4

105

2.7

基底

S1-0248

1L60_SU34

60x3

150

0.4

135

4.5

基底

消除雜散光的SiTek一維PSD：

- 位置非線性：±0.1%

- 探測器電阻：200kohm

Part.NO

型號

有效面積(mm)

漏電流(nA)

Leakage current

Noise干擾電流pA/Hz

電容(pF)

上升時間(10-90%)(µs)

標準封裝

S1-0090

1L5NT_CP1

5x0.25

4

0.3

5

0.25

4針 DIL

S1-0066

1L5NT_CP2

5x0.25

4

0.3

5

0.25

14針 DIL

S1-0067

1L10NT_CP2

10x0.5

8

0.3

15

0.7

14針 DIL

帶有增強UV響應(yīng)的SiTek一維位置感應(yīng)探測器:

Part.NO

型號

有效面積(mm)

漏電流(nA)

Leakage current

Noise干擾電流pA/Hz

電容(pF)

上升時間(10-90%)(µs)

標準封裝

S1-0072

1L2.5UV_CP2

2.5x0.6

2

0.4

1.6

0.03

14針 DIL

S1-0032

1L5UV_CP2

5x1

4

0.4

5

0.05

14針 DIL

S1-0073

1L10UV_CP2

10x2

8

0.4

15

0.2

14針 DIL

S1-0074

1L20UV_CP3

20x3

50

0.5

45

0.5

14針 DIL

S1-0034

1L30UV_SU2

30x4

150

0.5

90

1

基底

二維位敏探測器(2-dimensional PSD)快速參考數(shù)據(jù)規(guī)格表：

- 位置非線性：±0.3%

- 探測器電阻：10kohm

Part.NO

型號

有效面積(mm)

漏電流(nA)

Leakage current

Noise干擾電流pA/Hz

電容(pF)

上升時間(10-90%)(µs)

標準封裝

S2-0001

2L2_MP1

2x2

50

1.3

7

0.03

TO-8

S2-0032

2L2_CP4

2x2

50

1.3

7

0.03

4針 陶瓷

S2-0002

2L4_MP1

4x4

50

1.3

20

0.08

TO-8

S2-0024

2L4_CP5

4x4

50

1.3

20

0.08

4-陶瓷

S2-0184

2L4_SU71

4x4

50

1.3

20

0.08

SMD

S2-0003

2L10_SU7

10x10

100

1.3

90

0.4

基底

S2-0033

2L10_CP6

10x10

100

1.3

90

0.4

4針 陶瓷

S2-0185

2L10_SU72

10x10

100

1.3

90

0.4

SMD

S2-0004

2L20_SU9

20x20

200

1.5

360

1.6

基底

S2-0023

2L20_CP7

20x20

200

1.5

360

1.6

4針 陶瓷

S2-0196

2L45_SU24

45x45

400

1.5

1600

7.0

基底

帶有增強UV響應(yīng)的SiTek二維PSD：

Part.NO

型號

有效面積(mm)

漏電流(nA)

Leakage current

Noise干擾電流pA/Hz

電容(pF)

上升時間(10-90%)(µs)

標準封裝

S2-0030

2L2UV_MP1

2 x 2

50

1.3

7

0.03

TO-8

S2-0006

2L4UV_MP1

4 x 4

50

1.3

20

0.08

TO-8

S2-0016

2L10UV_SU7

10 x 10

100

1.3

90

0.4

基底

S2-0034

2L20UV_SU9

20 x 20

200

1.5

360

1.6

基底



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