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更新時(shí)間：2024-02-07 10:02:19瀏覽次數(shù)：141次
聯(lián)系我時(shí)，請告知來自 環(huán)保在線Amplification熱電冷卻InGaAs探測器可以實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的內(nèi)部放大，具有高增益（＞105）、快速響應(yīng)（＜0.4ns上升時(shí)間）和極低的過噪聲因子（＜1.05）。
950-1650nmNIR InGaAs光子探測器，2000個(gè)光子的靈敏動態(tài)，配備熱電冷卻器
Amplification熱電冷卻InGaAs探測器通過技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的內(nèi)部放大，具有高增益（＞105）、快速響應(yīng)（＜0.4ns上升時(shí)間）和極低的過噪聲因子（＜1.05）。該產(chǎn)品采用TO-8封裝，配有熱電冷卻器，環(huán)境溫度為25°C時(shí)，可以冷卻到-50°C。
近紅外銦鎵砷光子探測器的TEC性能：
TEC是一款三級冷卻器，采用高質(zhì)量的散裝BiTe材料制造，符合RoHS規(guī)范，并通過了Telordia GR-468 認(rèn)證。符合RoHS規(guī)范，并通過了Telcordia GR-468認(rèn)證。以下是理想條件下的 TEC 性能參數(shù)：
近紅外銦鎵砷探測器TEC性能數(shù)據(jù)不包括TO封裝和散熱器布置，實(shí)際使用限制冷卻溫度在-50°C至-55°之間。上圖中所示的InGaAs探測器性能參數(shù)是在散熱和無負(fù)載條件下獲得的。在TO-8頭部的實(shí)際使用中，應(yīng)仔細(xì)考慮設(shè)計(jì)一個(gè)合適的散熱方案。為了獲得的可靠性，建議在非凝結(jié)環(huán)境下存儲和操作溫度低于85°C。為了盡量減少熱應(yīng)力，應(yīng)使用線性/比例溫度控制或類似的方法，而不是開關(guān)控制方法。
Amplification NIRDAPD TEC近紅外探測器是一款近紅外離散放大光子探測器，波長覆蓋950nm至1650nm的近紅外波段。Amplification熱電制冷近紅外探測器DAPD TO8專為寬帶模擬檢測低光信號而設(shè)計(jì)，近紅外銦鎵砷探測器對NIR模擬檢測器而言具有無二的信號脈沖靈敏度。NIR InGaAs光子探測器的靈敏度涵蓋了從單個(gè)光子到每脈沖約2000個(gè)光子的寬動態(tài)范圍，并且其輸出信號與檢測到的光子數(shù)成正比。
Amplification近紅外TEC探測器DAPD-TO8有兩種不同的有效面積尺寸可供選擇：80µm和200µm。
Amplification近紅外探測器的主要特點(diǎn)：
-近紅外光譜響應(yīng)從950到1650 nm
-快速響應(yīng)：上升時(shí)間< 0.4ns
-高增益：在PDE下，G=~100k
-低噪聲因子：F<1.05
- TEC冷卻到-50oC
這表明熱電冷卻InGaAs探測器可以通過熱電制冷（TEC）技術(shù)冷卻到極低的溫度。在低溫下，Amplification近紅外離散放大光子探測器的性能可能會得到提高，因?yàn)闊嵩肼晻p少。Amplification近紅外探測器DAPD TO8的輸出信號相對于噪聲是非常干凈的，可以提高檢測的準(zhǔn)確性。
Amplification近紅外銦鎵砷探測器的主要應(yīng)用：
-激光雷達(dá)3D成像
-激光雷達(dá)和環(huán)境監(jiān)測
-光譜學(xué)和儀器
-量子通信
NIRDAPD TEC近紅外探測器的規(guī)格：（工作溫度為 -50°C 時(shí)）
| 參數(shù) | DAPD TO8 series | 單位 | |
| 有效區(qū)域直徑 | 80 | 200 | μm |
| 頻譜響應(yīng)范圍（λ） | 950-1650 | nm | |
| 典型增益 (M) | 1x105 | - | |
| 過量噪聲系數(shù) | ＜1.05 | - | |
| 光子檢測效率@1550 納米 (PDE)1 | 10-20 | % | |
| 單電子響應(yīng)脈沖寬度 (FWHM) | 1.0 | 1.0 | Ns |
| 典型暗計(jì)數(shù)率 | 10 | 25 | Mcps |
| 工作偏置 | 50-80 | V | |
(1) 近紅外TEC探測器的光子檢測效率包括串?dāng)_和后脈沖。
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