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拋光硅片

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，單面拋光。

詳細(xì)介紹

拋光硅片簡(jiǎn)介

大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，單面拋光。

拋光硅片參數(shù)及用途：

參數(shù)類型	Si技術(shù)指標(biāo)
產(chǎn)品尺寸	1-4英寸
生長(zhǎng)方法	直拉單晶（Cz）
表面拋光	單面拋光
直徑公差	100.2±0.3mm
摻雜類型	摻雜劑（磷或硼）
晶體取向	100 111
電阻率Ω	＜0.0015 Ω.cm 0.001-0.5Ω.cm 1-10Ω.cm
平整度TIR	＜3um
翹曲度TTV	＜10um
彎曲度BOW	＜10um
拋光粗糙度Ra	＜0.5nm
顆粒度Pewaferr	＜（for size＞0.3um）
厚度um	請(qǐng)咨詢
用途	用于微流控芯片光刻工藝模具、工藝等同步輻射樣品載體、LPCVD/PECVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長(zhǎng)樣品、XRD、SEM、AFM、紅外光譜熒光光譜等分析測(cè)試基底、分子束外延生長(zhǎng)的基底、X射線分析晶體半導(dǎo)體等諸多科研用途。

可提供硅片的型號(hào)

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
1	雙拋	P	100	1--20	100
1	雙拋	P	100	1--10	400
1	單拋	P	100	1--10	1950
1	單拋	P	100	<0.01	1000
1	單拋	P	100	<0.0015	400
直徑35mm	單拋	P	100	0-20	725
1	單拋	P	100	1--10	500
直徑40mm	單拋	P	100	<0.0015	1000
直徑40mm	研磨片	P	100	>2500	530

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
2	單拋	N	100	0.1-0.9	500	2	雙拋	P	110	1--10	450
2	單拋	N	100	<0.005	400	2	雙拋	P	100	20--50	380
2	單拋	N	100	1--10	200	2	雙拋	N	111	45-60	470
2	單拋	N	100	1--10	430	2	雙拋	N	100	1--10	480
2	單拋	N	100	1--10	350	2	雙拋	N	100	1--10	270
2	單拋	N	100	1--10	400	2	研磨片	N	100	1--10	540
2	單拋	N	100	1--10	100	2	本征研磨片	P	100	>2500	440
2	單拋	N	100	0.001-0.005	100	2	研磨片	P	110	1--10	450
2	單拋	N	100	1--10	300	2	研磨片	P	100	0.01-0.001	440
2	單拋	N	111	10--40	400	2	研磨片	P	100	0.01-0.05	540
2	單拋	N	100	1--10	500	2	本征單拋	50.8	100	>2500	400
2	單拋	P	110	1--10	400	2	本征單拋	50.8	111	>2500	500
2	單拋	P	100	<0.0015	1000	2	本征單拋	50.8	111	>1000	400
2	單拋	P	100	1--20	2000	2	本征單拋	50.8	100	>5000	1000
2	單拋	P	100	<0.01	2000	2	本征雙拋	50.8	100	>3000	370
2	單拋	P	100	0.001-0.005	3000	2	本征雙拋	50.8	111	>1000	460
2	單拋	P	100	0.01-0.05	3000	2	本征雙拋	50.8	100	>2000	2000
2	單拋	P	100	0.01-0.05	5000	2	本征雙拋	50.8	100	>2500	1000
2	單拋	P	100	10--30	300	2	本征雙拋	50.8	100	1000-4000	250
2	單拋	P	100	0.001-0.005	280	2	二氧化硅	P	100	1--20	200
2	單拋	P	100	0.01-0.05	300	2	二氧化硅	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	1--10	300	2	二氧化硅	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	10--15	250
2	單拋	P	100	0.01-0.05	500
2	單拋	P	100	1--10	500
2	單拋	P	100	0.01-0.05	500
2	單拋	P	100	0.01-0.05	200
2	單拋	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	1--10	400

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
3	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	400
3	單拋	N	111	10--25	450
3	單拋	N	100	>5	400
3	單拋	N	100	0.01-0.09	400
3	單拋	P	100	1--10	200
3	單拋	P	100	10--20	500
3	單拋	P	100	1--10	400
3	單拋	P	100	10--20	380
3	單拋	P	100	0.001-0.005	400
3	單拋	P	111	1--10	1000
3	雙拋	P	100	1--20	400
3	雙拋	N	100	1--10	100
3	研磨片	P	100	1--10	440
3	研磨片	N	100	0.021-0.026	440
3	研磨片	P	100	1--20	460

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號(hào)晶向	規(guī)格	電阻率Ω·cm	硅片厚度	氧化層厚度/納米
4	單拋	N	100	0.1-0.9	500	4	雙拋	P	100	0.01-0.05	500	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	20nm
4	單拋	N	100	0.001-0.005	400	4	雙拋	P	100	10--20	500	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	50nm
4	單拋	N	100	0.001-0.005	500	4	雙拋	P	100	10--20	400	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	100nm
4	單拋	N	100	1--10	500	4	雙拋	P	100	10--20	300	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.001-0.005	500	100nm
4	單拋	N	100	0.1-0.5	300	4	雙拋	P	100	1--10	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	100nm
4	單拋	N	111	0.001-0.005	500	4	雙拋	P	100	1--5	250	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	200nm
4	單拋	N	111	10--25	500	4	雙拋	P	100	0.01-0.02	200	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	200nm
4	單拋	N	111	10-50	250	4	雙拋	P	100	<0.0015	3000	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	200nm
4	單拋	N	111	10-50	300	4	雙拋	N	111	10--25	470	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	300nm
4	單拋	P	｛110｝	1--10	500	4	雙拋	N	100	0.1-0.9	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	525	300nm
4	單拋	P	100	0.01-0.05	1000	4	雙拋	N	100	10--20	200	4	二氧化硅	P<100>	雙拋雙氧	10--30	525	300nm
4	單拋	P	100	5--30	1100	4	雙拋	N	100	1--10	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.001-0.005	500	300nm
4	單拋	P	100	0.01-0.02	2000	4	研磨片	P	100	10--20	570	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	300nm
4	單拋	P	100	0.001-0.005	2000	4	本征研磨片	P	100	>4000	530	4	二氧化硅	N<100>	雙氧	0.002-0.004	500	300nm
4	單拋	P	100	<0.0015	3000	4	研磨片	N	111	10-50	530	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	525	500nm
4	單拋	P	100	0.001-0.005	500	4	研磨片	N	111	10--25	300	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	525	500nm
4	單拋	P	100	0.01-0.05	500	4	研磨片	N	100	0.8	540	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	1000nm
4	單拋	P	100	0.1-0.9	500	4	研磨片	N	100	1--10	540	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.01-0.05	500	2000nm
4	單拋	P	100	0.01-0.02	200	4	單拋本征	100mm	100	>3000	1000	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.01-0.05	500	2000nm
4	單拋	P	100	1--10	200	4	單拋本征	100mm	100	>4000	200	4	本征+氧化	P<100>	雙氧	>4000	500	300nm
4	單拋	P	100	1--5	250	4	單拋本征	100mm	100	>2000	500
4	單拋	P	100	1--5	240	4	單拋本征	100mm	100	>4000	500
4	單拋	P	100	20--50	500	4	單拋本征	100mm	111	>4000	200
4	單拋	P	100	1--10	500	4	雙拋本征	100mm	100	>4000	300
4	單拋	P	111	8--13	400	4	雙拋本征	100mm	100	>4000	200
4	單拋	P	111	0.01-0.015	525	4	雙拋本征	100mm	100	>5000	500
4	單拋	P	111	0.01-0.015	450

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
5	單拋	N	111	10-50	500
5	雙拋	N	111	37-55	470
5	研磨片	N	111	37-55	525
5	腐蝕片	N	111	30-100以上	370

尺寸	拋光	型號(hào)	晶向	電阻率Ω·cm	硅片厚度	氧化層厚度/納米	規(guī)格
6	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	500	300nm	單氧
6	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	500	300nm	雙氧
6	單拋	P	100	8--15	1000	200	145
6	單拋	P	100	<0.0015	1000	15	145
6	單拋	P	100	0--20	650	250	90
6	單拋	P	100	1--30	650	203	90
6	單拋	P	100	1--30	650	16	90
6	單拋	P	100	0.001-0.009	500	50	90
6	單拋	P	100	0.001-0.009	525	38	90
6	單拋	P	100	1--10	675	27	90
6	單拋	N	100	0.01-0.05	350	1	90
6	單拋	N	100	0.01-0.05	525	24	90
6	單拋	N	111	>10	1000	30	145
6	單拋	N	111	10--50	500	32	90
6	單拋	N	100	0.8-2	675	17	100
6	單拋	區(qū)熔本征	100	675-825	550	21	240
6	單拋	區(qū)熔本征	100	630-1200	625	10	240
6	雙拋	N	100	0.01-0.09	400	24	100
6	雙拋	P	100	20-30	400	3	100
6	雙拋	P	100	0--20	650	81	95