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Scanwave 掃描微波近場阻抗顯微鏡

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更新時間：2023-02-20 14:28:56瀏覽次數(shù)：192次

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產(chǎn)品簡介

Scanwave 掃描微波近場阻抗顯微鏡

詳細介紹

sMIM是最由美國PrimeNano公司聯(lián)合美國高校（斯坦福大學）發(fā)展起來的一款基于AFM的電學測量設備。在測量樣品表面形貌的同時得到樣品的電學性質(zhì)，如導電率，介電常數(shù)，載流子濃度，載流子類型等。sMIM基于微波頻率的阻抗測量，具有超高的空間分辨率和電學分辨率，無需樣片制備等優(yōu)點，適用于各類材料包括導體、半導體、絕緣體/電介質(zhì)、掩埋式結(jié)構(gòu)等材料，在半導體，相變材料，納米科學，鐵電材料等科研領(lǐng)域有著非常重要的應用（如下圖所示）。利用sMIM技術(shù)取得的科研成果已經(jīng)發(fā)表在的國際期刊，例如Science, Nature, Physics Review Letters, Nano Letters 等 (/?page_id=12)

sMIM 應用原理

傳送微波信號到針尖，微波在針尖部位行成近場電磁場與樣品表面和近表面相互作用，相互作用后，反饋微波信號，針尖移動，反饋微波的振幅、相位隨著針尖的電信號變化而變化，軟件進行信號校準、分析，進行電容、電阻率和形貌同步成像。

6種信號反饋通路

Method	半導體	導體	電介質(zhì)	絕緣體	包埋結(jié)構(gòu)	樣品分辨率	動態(tài)模式
CAFM	×	√	×	×	×	×	×
SCM	√	×	×	×	×	×	×
SSRM	√	√	×	×	×	×	×
Scanwave	√	√	√	√	√	√	√

半導體領(lǐng)域-半導體器件

sMIM技術(shù)可以用來測量半導體器件的電學性質(zhì)，包括載流子濃度分布，載流子類型，金屬結(jié)構(gòu)，介質(zhì)層（絕緣體）結(jié)構(gòu)等。利用sMIM*的優(yōu)點可有對材料局域進行納米尺度下的C-V曲線測量?？梢詰迷谄骷碚?，失效分析等。以下我們給出幾個典型的例子。

絕緣柵極晶體管

以上左圖中為絕緣柵雙極晶體管的SEM照片和利用其他技術(shù)測量得到的圖形；右圖中為利用sMIM技術(shù)得到的圖像。比較結(jié)果我們可以看出，sMIM技術(shù)顯示了器件的更多細節(jié)，并且圖像更加清晰。sMIM中不僅顯示了載流子的類型和濃度分布，并且顯示了金屬結(jié)構(gòu)，多晶硅結(jié)構(gòu)和氧化層結(jié)構(gòu)以及氧化層中的缺陷。

（/smim_wp3/?page_id=739）

CMOS感光器件

圖中為掃描全局快門CMOS感光器件表面的圖像，掃描區(qū)域大小為5 µm x 5 µm。圖中數(shù)字所對應的區(qū)域1是用于存儲的n型的擴散區(qū)域； 2是光陰極n型擴散區(qū)域；3是淺溝道隔離絕緣區(qū)域；4是金屬接觸區(qū)域；5是陰極周圍的p型襯底。sMIM-C圖像清晰地顯示了各種材料。

利用sMIM-C信號，我們可以進行納米尺度下特定位置的C-V曲線測量。特定位置的C-V曲線測量可以對半導體器件進行失效分析。如右下圖是對于不同點的測量得到的 C-V曲線。C-V曲線#1和C-V曲線#2顯示被測區(qū)域是n型半導體，與器件結(jié)構(gòu)1用于存儲的n型的擴散區(qū)域和2光陰極n型擴散區(qū)域相吻合。 C-V曲線#5顯示被測區(qū)域是p型半體與器件結(jié)構(gòu)5陰極周圍的p型襯底相吻合。C-V曲線#3是平的，說明被測區(qū)域是非半導體材料，與器件結(jié)構(gòu)3淺溝道隔離絕緣區(qū)域吻合。（/article.aspx?ArticleID=4207）

鐵電材料和磁性材料

sMIM可以用來測量鐵電材料和磁性材料疇和疇壁的電學性能。

LiTaO3