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反應(yīng)離子刻蝕機(jī)Etchlab 200

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反應(yīng)離子刻蝕機(jī)Etchlab 200

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品概述

反應(yīng)離子刻蝕機(jī) Etchlab 200 是研發(fā)用干法刻蝕工藝的基本型和經(jīng)濟(jì)型設(shè)備，可逐步升級(jí)到完整的反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備 RIE、適用于所有工藝氣體和工藝要求。

Etchlab 200 具有模塊化設(shè)計(jì)、工藝穩(wěn)定性、使用簡(jiǎn)便，直接放置晶圓。Etchlab 200 適用于廣泛的刻蝕工藝，例如刻蝕硅、氧化硅、金屬、三五族化合物和聚合物。

單晶片反應(yīng)腔室內(nèi)的經(jīng)過長(zhǎng)期驗(yàn)證的模塊可滿足各種要求、包括繁重的刻蝕任務(wù)。按照的刻蝕任務(wù)和等離子體化學(xué)氣體要求，反應(yīng)腔室可配置不同的氣體系統(tǒng)。設(shè)備所有的重要參數(shù)均為自動(dòng)控制。

下電極可容納直徑 4 吋到 8 吋的晶圓。下電極水冷、或通過可選的循環(huán)冷卻器將溫度控制在 10°C 到80°C。下電極的 13.56 MHz 射頻功率源產(chǎn)生等離子體（RIE 模式）。不同的等離子阻抗自動(dòng)匹配到射頻發(fā)生器的 50 歐姆輸出。產(chǎn)生等離子體的同時(shí)，加載到下電極上的 13.56 MHz 射頻功率同時(shí)產(chǎn)生一個(gè)直流自偏壓。直徑 100 mm 到 200 mm 的晶圓直接放置在下電極上。

真空系統(tǒng)包括渦輪分子泵和機(jī)械前級(jí)泵、符合 RIE 工藝所需的壓力-流量要求。自動(dòng)節(jié)流閥保持反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力、獨(dú)立于氣體流量。質(zhì)量流量計(jì)（MFC）提供高穩(wěn)定的氣流。這樣就能達(dá)到精確和可重復(fù)的刻蝕條件。

系統(tǒng)具備*的硬件和軟件控制系統(tǒng)，采用客戶機(jī)-服務(wù)器結(jié)構(gòu)。成熟、可靠的遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)控制器（RFC）通過串行現(xiàn)場(chǎng)總線（Interbus）、實(shí)時(shí)控制所有部件?；镜陌踩ユi由該 RFC 實(shí)現(xiàn)。

關(guān)鍵詞：刻蝕機(jī) 冷卻器節(jié)流閥質(zhì)量流量計(jì)

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