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更新時(shí)間：2022-07-07 15:50:22瀏覽次數(shù)：221次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線| DECTRIS | 0 |
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EIGER2 XE CdTe探測(cè)器系統(tǒng)使終端線站能夠達(dá)到X射線研究的新高峰。為了充分利用*的新型同步輻射光源在更高能量下不斷增加的光子通量，DECTRIS（德科特思） 將 EIGER2 XE CdTe 探測(cè)器系列提升到了新的極限。EIGER2 XE CdTe 9M和16M不僅提供超高的107次/秒/像素的計(jì)數(shù)率能力和第二個(gè)能量識(shí)別閾值，而且?guī)室脖惶岣叩?00赫茲以上。
1.EIGER 2 XE CdTe
EIGER2 XE CdTe探測(cè)器系統(tǒng)使終端線站能夠達(dá)到X射線研究的新高峰。為了充分利用*的新型同步輻射光源在更高能量下不斷增加的光子通量，DECTRIS（德科特思） 將 EIGER2 XE CdTe 探測(cè)器系列提升到了新的極限。EIGER2 XE CdTe 9M和16M不僅提供超高的107次/秒/像素的計(jì)數(shù)率能力和第二個(gè)能量識(shí)別閾值，而且?guī)室脖惶岣叩?00赫茲以上。使用 EIGER2 XE CdTe 探測(cè)器實(shí)現(xiàn)您極有潛力的項(xiàng)目，并為未來(lái)做好準(zhǔn)備。
2.EIGER2 X CdTe
EIGER2 X CdTe 探測(cè)器適用于需要在高能量下獲得超高分辨率和幀速率的科學(xué)家。您現(xiàn)在可以以75μm 的單像素級(jí)空間分辨率檢測(cè)能量高達(dá)100keV的光子。由于無(wú)死區(qū)時(shí)間讀數(shù)，您不會(huì)在幀之間丟失光子。第二個(gè)能量區(qū)分閾值允許您在兩個(gè)能量箱中對(duì)樣品進(jìn)行成像或削減高次諧波，以減少背景噪音。以107光子/秒/像素的超高計(jì)數(shù)率能力準(zhǔn)備您的未來(lái)光束實(shí)驗(yàn)站。
EIGER2 X CdTe探測(cè)器將超高性能與易于集成和操作結(jié)合在一起。
3.核心優(yōu)勢(shì)
– 直接探測(cè)X射線，使得無(wú)圖像延遲或余輝。
– 計(jì)數(shù)速率高達(dá)107光子/秒/像素，符合第四代同步輻射光源的計(jì)數(shù)率。
– 雙能量閾值抑制噪音，提供高質(zhì)量的數(shù)據(jù)。
– 在*幀速率下使用電子門(mén)控觸發(fā)技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速可靠的探測(cè)。
– 多種傳感器尺寸以實(shí)現(xiàn)多角度覆蓋。
4.應(yīng)用領(lǐng)域
–x射線衍射(單晶和粉末) (文章:歐洲光源ESRF的應(yīng)用實(shí)例)
–現(xiàn)場(chǎng)和原位技術(shù)
–衍射顯微鏡和層析成像
–漫散射和對(duì)分布函數(shù)
–勞厄衍射
–大分子晶體學(xué)(MX)
–高壓研究 （視頻: APS 的高壓 XRD 研究）
5.技術(shù)規(guī)格
| EIGER2 X CdTe | EIGER2 XE CdTe | ||||||
型號(hào) | 500K | 1M | 4M | 9M | 16M | 9M | 16M |
有效面積：寬x高 [mm2] | 77.1 x 38.4 | 77.1 X 79.7 | 155.1 x 162.2 | 233.1 x 244.7 | 311.1 x 327.2 | 233.1 x 244.7 | 311.1 x 327.2 |
像素大小 [μm2] | 75 x 75 | ||||||
總像素?cái)?shù)量 | 1028x512 | 1028x1062 | 2068 x 2162 | 3108 x 3262 | 4148 x 4362 | 3108 x 3262 | 4148 x 4362 |
間隙寬度, 水平/垂直（像素） | -/- | -/38 | 12 / 38 | 12 / 38 | 12 / 38 | 12 / 38 | 12 / 38 |
大幀頻* [Hz] | 2000 | 2000 | 500 | 230 | 130 | 550 | 550 |
計(jì)數(shù)器深度 [ bit ] | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
讀出時(shí)間 | 連續(xù)讀數(shù) | ||||||
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel | ||||||
傳感器材料 | CdTe | ||||||
傳感器厚度 [μm] | 750 | ||||||
能量范圍 [keV] | 8-100 | ||||||
計(jì)數(shù)率 [ph/s/pixel] | 107 | ||||||
尺寸（WHD）[mm3] | 114 x 92 x 242 | 114 x 133 x 242 | 235 x 237 x 372 | 340 x 370 x 500 | 400 x 430 x 500 | 340 x 370 x 500 | 400 x 430 x 500 |
重量 [kg] | 3.7 | 4.7 | 15 | 41 | 55 | 41 | 55 |
冷卻方式 | 水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)） | 水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)） | 水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)） | 水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)） | 水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)） | 水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)） | 水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)） |
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