主要特點(diǎn)

一、此設(shè)備的高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負(fù)反饋控制系統(tǒng)，控溫儀表選用智能型程序溫度調(diào)節(jié)儀表控溫，電力調(diào)制器控制；負(fù)載采用小電壓大電流控制，從而大大提高了發(fā)熱元件的壽命，測(cè)溫元件采用 K 型熱偶。30段可編程控溫，PID參數(shù)自整定，操作界面為10寸工控電腦，內(nèi)置PLC控制程序，可將溫控系統(tǒng)、滑軌爐滑動(dòng)（時(shí)間和距離）設(shè)定為程序控制。同時(shí)系統(tǒng)設(shè)置了超溫、 欠溫、斷偶報(bào)警保護(hù)功能，大大降低了對(duì)操作人員經(jīng)驗(yàn)的要求，關(guān)鍵電氣元件采用優(yōu)質(zhì)的進(jìn)口產(chǎn)品，做到高性能、免維護(hù)，提高了設(shè)備質(zhì)量的可靠性。

二、PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm³電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式,低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡單。

技術(shù)參數(shù)