化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備各有各的用途，不可錯(cuò)搭使用

時(shí)間：2022-7-3閱讀：172

各種化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備都有一定的使用范圍。每種實(shí)驗(yàn)設(shè)備，根據(jù)它的用途不同，有著不同的使用要求。因此，在使用各種化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備前都應(yīng)該明確它的要求及這種要求的原因。
有的玻璃實(shí)驗(yàn)設(shè)備可以加熱用，如試管、燒杯、燒瓶、蒸發(fā)皿等；有的不能加熱，如量筒、集氣瓶、水槽等。有的實(shí)驗(yàn)設(shè)備可以做量具用。有的實(shí)驗(yàn)設(shè)備在實(shí)驗(yàn)裝置中起支撐作用。有些實(shí)驗(yàn)設(shè)備外觀很相似，容易混淆，應(yīng)該通過(guò)對(duì)比加以分辮?；瘜W(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備在做化學(xué)實(shí)驗(yàn)時(shí)經(jīng)常用到，學(xué)會(huì)正確使用這些實(shí)驗(yàn)設(shè)備的方法，是十分重要的。
單層過(guò)渡金屬硫化物（TMDS）二維晶體納米材料，如二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）等，由于其具備直接帶隙（Eg=1.8eV）的半導(dǎo)體特性，相比于石墨烯連續(xù)能帶分布，該類(lèi)材料被廣泛應(yīng)用在納米電子學(xué)、光電子學(xué)方面。
目前，實(shí)現(xiàn)MoS2二維晶體的可靠制備方法，包括剝離法，水熱合成法，物理氣相沉積法和化學(xué)氣相沉積法。其中，化學(xué)氣相沉積法較為適合用于制備大面積、高質(zhì)量的連續(xù)MoS2薄膜，以滿足工業(yè)上基于MoS2二維晶體材料的大規(guī)模光電子設(shè)備的制造。因此，大面積、高質(zhì)量的MoS2單層薄膜的可控制備，仍然是業(yè)界十分重視的前沿研究問(wèn)題。
過(guò)渡金屬硫化物可以在SiO2/Si襯底上制備。如果直接觀察襯底表面，入射光線經(jīng)SiO2上下表面反射后，其干涉現(xiàn)象將使生長(zhǎng)在SiO2表面上的二維晶體樣品呈現(xiàn)不同的顏色襯度，因此可以采用直接觀察法來(lái)評(píng)估過(guò)渡金屬硫化物二維晶體樣品的大小。

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