測量精度：0.075 % 鉑金型：0.05 %

長期穩(wěn)定性 量程上限(URL)的0.05 % /年

量程上限：(URL)的0.125 % / 5年

過壓限定值：單側(cè)：160 bar

過程溫度：-40℃~150℃

環(huán)境溫度：-40℃~ 85℃

測量范圍：0 mbar…100 bar (0 inH2O…1,450 psi)

防護(hù)等級：IP67

響應(yīng)時間：90ms

防爆:本安Ex ia IIC T6 隔爆Ex d IIC T6

過程連接：1/4-18 NPT 、1/2-14 NPT

輸出：4...20 mA HART 、PROFIBUS PA、FF、Wireless HART

證書/認(rèn)證：ATEX 、FM 、NEPSI

1. 采用*的雙梁懸浮式MEMS單晶硅壓力傳感器和一體化抗高壓過載中心膜片，

具有極的高穩(wěn)定性、高精度和超高過壓性能；

2. 超寬測量范圍：100Pa-40MPa 可達(dá)70MPa

壓力變送器，

3. 微量程 單向過壓高達(dá)16MPa ；

4.傳感器膜盒內(nèi)嵌壓力、溫度補(bǔ)償、特征化處理電路，實現(xiàn)了電路模塊的任意互換

5.超高溫壓力測量：*的超高溫制造工藝，遠(yuǎn)傳變送器可在700℃高溫工況下可靠運行。

6. 高精度：精度±0.05%，精度±0.03% 量程壓縮比 100：1 ；

7.年漂移小于±0.05% 長期漂移小于±0.1%/10年

8.電路采用多冗余連接設(shè)計，接插件鍍純金厚度2 um，解決了連接點時間長氧化接觸不良的問題

9.表頭可同時顯示 壓力值、電流值、百分比值、百分比率光條、傳感器膜盒溫度、Logo，還可

顯示變送器波形曲線參數(shù)；

10.電路模塊 設(shè)有過流、過壓保護(hù)、抗強(qiáng)電磁干擾，防雷擊等功能