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中國臺灣松木MOS管 ME7910D數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書ME7910D中文資料pdf

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產(chǎn)品型號ME7910D

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聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時間：2022-03-24 11:51:36瀏覽次數(shù)：117次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

TheME7910DistheDualN-Channellogicenhancementlogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細介紹

The ME7910D is the Dual N-Channel logic enhancement logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應用：

●筆記本中的電源管理

●電池供電系統(tǒng)

●DC/DC轉(zhuǎn)換器低壓側(cè)開關(guān)

●負荷開關(guān)

● RDS(ON)≦14m?@VGS=4.5V

● RDS(ON)≦15mΩ@VGS=4V

● RDS(ON)≦17.5m?@VGS=3.1V

● RDS(ON)≦21mΩ@VGS=2.5V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

關(guān)鍵詞：電池負荷開關(guān)