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ME2N7002E-G(綠色)N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 SOT-23封裝

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產(chǎn)品型號ME2N7002E-G

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聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時間：2022-03-24 11:14:39瀏覽次數(shù)：167次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營模式：代理商

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產(chǎn)品簡介

ME2N7002E-G(綠色)N溝道增強型場效應(yīng)晶體管ME2N7002E-G一般說明：ME2N7002E-G是N溝道增強型場效應(yīng)晶體管，采用高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)

詳細介紹

ME2N7002E-G(綠色)N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管

ME2N7002E-G一般說明：

ME2N7002E-G 是 N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管，采用高單元密度 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。

這些產(chǎn)品旨在限度地減少通態(tài)電阻，同時提供堅固、可靠和快速的開關(guān)性能。它們可用于需要高達 300mA DC 的大多數(shù)應(yīng)用，并可提供高達 1.2A 的脈沖電流。這些產(chǎn)品特別適用于低電壓、低電流應(yīng)用，例如小型伺服電機控制、功率 MOSFET 柵極驅(qū)動器和其他開關(guān)應(yīng)用。

ME2N7002E-G特征：

60V / 0.50A , RDS(ON)= 5.0?@VGS=10V

60V / 0.30A , RDS(ON)= 5.5?@VGS=4.5V

超高密度電池設(shè)計，適用于極低 RDS (ON)出色的導(dǎo)通電阻和值直流電流能力

ME2N7002E-G封裝：

采用SOT-23 封裝設(shè)計

ME2N7002E-G應(yīng)用：

用于低 RDS(ON) 的高密度電池設(shè)計

壓控小信號開關(guān)

堅固可靠

高飽和電流能力。

焊接溫度和時間不得超過