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中國(guó)臺(tái)灣松木MOS管 ME3587數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)ME3587中文資料pdf

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聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2022-03-24 10:45:25瀏覽次數(shù)：179次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

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商鋪產(chǎn)品：523條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

TheME3587istheN-andP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細(xì)介紹

The ME3587 is the N- and P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density ,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.