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中國臺灣松木MOS管 ME4174數據手冊規(guī)格書ME4174中文資料pdf

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產品型號ME4174

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更新時間：2022-03-24 10:15:32瀏覽次數：142次

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產品簡介

ME4174是N通道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高密度DMOS溝道技術制造

詳細介紹

ME4174是N通道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高密度DMOS溝道技術制造。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些設備特別適用于低電壓應用，如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在非常小的外形表面貼裝封裝中，需要高側切換和低在線功耗。

The ME4174 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

● RDS(ON)≦6.2m?@VGS=10V

● RDS(ON)≦11m?@VGS=4.5V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

應用：

●筆記本中的電源管理

●便攜式設備

●電池供電系統(tǒng)

●DC/DC轉換器

●負荷開關

●差示掃描量熱儀

●液晶顯示逆變器