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SIEMENS6ES71532BA010XB0可調(diào)電阻器和電位器三大類。在電路中，固定電阻器、半可調(diào)電阻器的符號(hào)是R，電位器的符號(hào)是RP

SIEMENS 6ES74142XK050AB0決定選用哪種類型的電阻器。例如，電路中的降壓和限流電阻、音頻負(fù)載電阻等，選用碳膜電阻就能

SIEMENS 6FC55000AA111AA0子和原子等其他粒子的碰撞與摩擦，碰撞和摩擦的結(jié)果形成了導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙，這種阻礙作用

SIEMENS6DD16610AB1 有）勢阱,導(dǎo)帶中的準(zhǔn)連續(xù)的電子態(tài)變成量子化，電子空穴的復(fù)合發(fā)光發(fā)生在這些量子化的分立狀態(tài)

SIEMENS6EP1337-3BA00它也是一種有內(nèi)部電流增益的光電探測器。它不受碰撞電離噪聲的限制，因此在長波長低噪聲探測器應(yīng)

SIEMENS6ES74921AL000AA0以連續(xù)生長兩個(gè)以上多層異質(zhì)結(jié)。這種多結(jié)光電子器件可以是二端工作的,也可以是三端或多端的。

SIEMENS 6ES7193-4CC20-0AA0等目的。異質(zhì)結(jié)在光電子學(xué)中的另一成就是70年代出現(xiàn)的半導(dǎo)體光陰極。以前采用的光陰極材料

SIEMENS6SE70312EP850AA0子阱激光器、雙穩(wěn)態(tài)光器件等）。雙異質(zhì)結(jié)激光器的發(fā)明是異質(zhì)結(jié)研究方面的一個(gè)重大成就。采用

SIEMENSET200B-32DO用外延生長技術(shù)可以把不同半導(dǎo)體單晶薄膜控制生長在一起，形成異質(zhì)結(jié)或異質(zhì)結(jié)構(gòu)。適

SIEMENS6ES7960–1AA04–0XA0生載流子在結(jié)附近某區(qū)域的強(qiáng)電場下加速，其能量可達(dá)到引起晶格碰撞電離的閾值。這種電離過

SIEMENS 6ES72320HB220XA8極管是廣泛使用的光檢測器件,為了提高量子效率和響應(yīng)速度，必須盡量擴(kuò)大耗盡區(qū)（即電場區(qū)），

SIEMENS 562-001（達(dá)104伏/厘米以上）,導(dǎo)致能帶彎曲，形成PN結(jié)勢壘。光生載流子一旦擴(kuò)散入結(jié)區(qū)即被內(nèi)場掃向兩

SIEMENS 6ES75900AA000AA0泛用作光電控制和早期光通信的光源。導(dǎo)體激光器就是用高摻雜GaAs的PN結(jié)制成的，

SIEMENS6ES71934CF500AA0附近將注入大量非平衡載流子，利用復(fù)合發(fā)光效應(yīng)可制成各種顏色發(fā)光二極管。電子儀表上普遍

SIEMENS6ES72720AA300YA0出各種波段（特別是紅外波段）光電探測器，如InSb、HgCdTe光電探測器，在軍事上已獲得廣泛應(yīng)用。

SIEMENS6ES72162BD230XB0因此帶間復(fù)合發(fā)光的效率很低（小于0.01%）。許多化合物材料如GaAs、InGaAsP為直接帶材料（

SIEMENS6ES71324BD020AA0到半導(dǎo)滿足躍遷過程的動(dòng)量守恒原則（圖4）,這就要求大量聲子同

SIEMENS ZIC4A很敏感。表面層對(duì)外來電荷（正的或負(fù)的電荷）的吸附引起表面能帶的彎曲（向上或向下），劇烈地影

SIEMENS6ES7972OCB200XA02是一個(gè)具有理想表面的半導(dǎo)體的能帶圖，EC、EV分別表示導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂,E0為體外真空能級(jí)

SIEMENS 6DR50200NG000AA0就能夠躍遷到導(dǎo)帶中，與此同時(shí)在價(jià)帶中留下空穴，統(tǒng)稱為光生載流子，由此產(chǎn)生的附加導(dǎo)電現(xiàn)