純水反滲透設(shè)備簡(jiǎn)介
一、純水反滲透設(shè)備：既將水中的導(dǎo)電介質(zhì)幾乎*去除，又將水中不離解的膠體物質(zhì)、氣體及有機(jī)物均去除至很低程度的水。電阻率大于10～18.3MΩ*cm極限值。超純水,是一般純水設(shè)備很難達(dá)到的程度，通常采用預(yù)處理、反滲透技術(shù)、高純化處理以及后級(jí)處理四大步驟，多級(jí)過(guò)濾、高性能離子交換（拋光）、超濾過(guò)濾器、紫外燈、除TOC裝置等多種處理方法，電阻率方可達(dá)18.25MΩ*cm。
二、純水反滲透設(shè)備工藝大致分成以下幾種：
1.     采用離子交換樹(shù)脂制備超純水的傳統(tǒng)水處理方式，其基本工藝流程為：原水→沙炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→陽(yáng)床→陰床→混床（復(fù)床）→純水箱→純水泵→后置精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)
2.     采用反滲透水處理設(shè)備與離子交換設(shè)備進(jìn)行組合的方式，其基本工藝流程為：原水→沙炭過(guò)濾器→軟水器-精密過(guò)濾器→反滲透設(shè)備→純水箱→混床（復(fù)床）→超純水箱→超純水泵→后置精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)
3.     采用反滲透水處理設(shè)備與電去離子（EDI）設(shè)備進(jìn)行搭配的的方式，這是一種制取超純水的工藝，也是一種環(huán)保，經(jīng)濟(jì)，發(fā)展?jié)摿薮蟮某兯苽涔に?，其基本工藝流程為：原?rarr;沙炭過(guò)濾器→軟水器-精密過(guò)濾器→反滲透設(shè)備→純水箱→電去離子（EDI）→超純水箱→超純水泵→拋光混床-紫外線殺菌器-終端精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)
三、三種制備工業(yè)用高純水的工藝比較:
 目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來(lái)?，F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點(diǎn)分別列于下面：
1.     種采用離子交換樹(shù)脂其優(yōu)點(diǎn)在于初投資少，占用的地方少，但缺點(diǎn)就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生，耗費(fèi)大量酸堿，而且對(duì)環(huán)境有一定的破壞。
2.     第二種采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換設(shè)備，其特點(diǎn)為初投次比采用離子交換樹(shù)脂方式要高，但離子設(shè)備再生周期相對(duì)要長(zhǎng)，耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹(shù)脂的方式要少很多。但對(duì)環(huán)境還是有一定的破壞性。
3.     第三種采用反滲透作預(yù)處理再配上電去離子（EDI）裝置，這是目前制取超純水***經(jīng)濟(jì)，***環(huán)保用來(lái)制取超純水的工藝，不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續(xù)制取超純水，對(duì)環(huán)境沒(méi)什么破壞性。
四、應(yīng)用領(lǐng)域：1、電解電容器生產(chǎn)鋁箔及工作件的清洗。
2、電子管生產(chǎn)、電子管陰極涂敷碳酸鹽配液。
3、顯像管和陰極射線管生產(chǎn)、配料用純水。
4、黑白顯像管熒光屏生產(chǎn)、玻殼清洗、沉淀、濕潤(rùn)、洗膜、管徑清洗用純水。
5、液晶顯示器的生產(chǎn)、平面需用純水清洗及純水配液。
6、晶體管生產(chǎn)中主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制。
7、集成電路生產(chǎn)中高純水清洗硅片、高品質(zhì)顯像管、熒光粉生產(chǎn)。
8、半導(dǎo)體材料、器件、印刷電路板和集成電路。
9、LCD、LED液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏。