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詳細(xì)介紹
多晶硅少子壽命測試儀測試范圍廣:包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達(dá)ρ>0.1Ω?cm(可擴(kuò)展至0.01Ω?cm)，完了微波光電導(dǎo)無法檢測低阻單晶硅的問題。
全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測試過程，避免了微波光電導(dǎo)(u-PCD)無法觀測晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。
貫穿深度大，達(dá)500微米，相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。
適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達(dá)ρ>0.1Ω?cm(可擴(kuò)展至0.01Ω?cm)，完了微波光電導(dǎo)無法檢測低阻單晶硅的問題。
全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測試過程，避免了微波光電導(dǎo)(u-PCD)無法觀測晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。
貫穿深度大，達(dá)500微米，相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。
多晶硅少子壽命測試儀配置兩種波長的紅外光源1、1.07μm波長紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。2、0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。多金硅少子壽命測試儀 測量范圍：1、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω·㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。2、拋光面：電阻率在0.1～0.01Ω·㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。可測范圍：1、分體式：2μS—10ms2、一體式：0.5μS—20ms
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