載流子濃度遷移率測(cè)試儀主要應(yīng)用：

?*無機(jī)半導(dǎo)體材料，有機(jī)半導(dǎo)體材料OLED等；?*有機(jī)太陽能電池OPV；?*鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell；?*無機(jī)太陽能電池（例如：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅、非晶硅等硅基太陽能電池）?*染料敏化太陽能電池DSSC；

載流子濃度遷移率測(cè)試儀主要測(cè)量功能：

*大功率點(diǎn)MMP，F(xiàn)F，Voc，Isc，遷移率，理想因子（空間電荷限制電流SCLC法）?*電子與空穴遷移率，載流子俘獲動(dòng)力學(xué)過程（瞬態(tài)光電流法）?*電子與空穴的復(fù)合，載流子俘獲動(dòng)力學(xué)過程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開路電壓法）?*俘獲動(dòng)力學(xué)過程（雙脈沖瞬態(tài)光電流）?*載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法）?*串聯(lián)電阻，幾何電容，RC時(shí)間（電壓脈沖法）?*參雜密度，電容率，串聯(lián)電阻，載流子遷移率（暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法）?*載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態(tài)法）?*載流子復(fù)合過程，朗之萬函數(shù)復(fù)合前因子（時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法）?*不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態(tài)法）?*幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態(tài)法）?*載流子遷移率，陷阱強(qiáng)弱度，等效電路（阻抗譜測(cè)試）?*遷移率，陷阱強(qiáng)弱度，電容，串聯(lián)電阻（電容VS頻率）?*內(nèi)建電壓，參雜濃度，注入勢(shì)壘，幾何電容（電容VS電壓）?*發(fā)射開關(guān)電壓（電流電壓照度特性）?*發(fā)光壽命，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法）

測(cè)量技術(shù)：

1）IV/IVL特性：IV和IVL曲線是針對(duì)OLED和OPV標(biāo)準(zhǔn)的量測(cè)手法，通過曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guān)系、電流電壓與光強(qiáng)的特性關(guān)系；

*對(duì)于太陽能電池可通過空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等； 

2）瞬態(tài)光電流響應(yīng)法（Transient Photocurrent ）：研究器件內(nèi)電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過程和載流子遷移率等；

3）瞬態(tài)光電壓（Transient Photovoltage）：研究器件內(nèi)部電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過程和復(fù)合過程；

4)雙脈沖瞬態(tài)光電流（Double Transient Photocurrent）：分析電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過程；

5)暗注入瞬態(tài)法（Dark Injection）：電荷載流子遷移率分析；

6)電壓脈沖法（Voltage Pulse）：串聯(lián)電阻、幾何電容和RC效應(yīng)分析；

7)暗態(tài)線性增壓載流子瞬態(tài)法（Dark-CELIV）：參雜濃度、相對(duì)介電常數(shù)、串聯(lián)電阻、電荷載流子遷移率測(cè)量；

8)光照線性增壓載流子瞬態(tài)法（Photo-CELIV）：提取有機(jī)太陽能電池片內(nèi)載流子遷移率mobility ，以及載流子濃度分析等；

9)時(shí)間延遲線性增壓載流子瞬態(tài)法（Delaytime-CELIV）：復(fù)合動(dòng)態(tài)過程分析和郎之萬復(fù)合因子分析等；

10）注入線性增壓載流子瞬態(tài)法（Injection-CELIV）：電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測(cè)量分析；

11）MIS-CELIV：幾何電容和相對(duì)介電常數(shù)分析；

12）阻抗譜測(cè)量（Impedance Spectroscopy）：量測(cè)器件內(nèi)電荷載流子遷移率和載流子俘獲動(dòng)態(tài)過程等；

13）電容頻率測(cè)量法（C-f）: 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測(cè)量；

14）電容電壓測(cè)量法（C-V）：內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測(cè)量；