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ICP-2B型標(biāo)準(zhǔn)電感耦合等離子體刻蝕機(jī)

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更新時(shí)間：2020-11-16 21:42:33瀏覽次數(shù)：351次

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武漢賽斯特精密儀器有限公司

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本設(shè)備為單室高真空系統(tǒng)，它主要由真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、報(bào)警系統(tǒng)等組成。
ICP-2B型標(biāo)準(zhǔn)電感耦合等離子體刻蝕機(jī)

詳細(xì)介紹

一. 系統(tǒng)描述

本設(shè)備為單室高真空系統(tǒng)，它主要由真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、報(bào)警系統(tǒng)等組成。

真空系統(tǒng)由一個(gè)分子泵（抽速600升/秒）+ 一個(gè)直聯(lián)旋片式真空泵（抽速9升/秒）組成抽氣系統(tǒng), 將真空室抽至高真空, 分子泵與真空室之間裝有一個(gè)手動(dòng)插板閥, 直聯(lián)旋片式真空泵為真空室予抽泵及分子泵前級(jí)泵。直聯(lián)旋片式真空泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不銹鋼硬管及波紋管連接, 并裝有電磁氣動(dòng)隔斷閥。

射頻電源采用國產(chǎn)雙電源控制。

氣路系統(tǒng)采用四個(gè)質(zhì)量流量控制器控制四路氣體進(jìn)氣。氣體管路采用1/4英寸不銹鋼硬管，管路接頭連接形式采用雙卡套連接。

本設(shè)備設(shè)有安全保護(hù)及報(bào)警系統(tǒng)。

二. 技術(shù)指標(biāo)

1.極限真空度: 9×10^-5Pa（環(huán)境濕度≤55%）

2. 刻蝕材料: Si, SiO2, Si3N4等

3. 刻蝕速率： 0.01 ~ 2μ/min

4. 刻蝕均勻性: ≤±5％ (φ120mm范圍內(nèi))

5. 電極尺寸: φ200mm

6. 反應(yīng)室尺寸：φ300×280mm

三．設(shè)備配置

1. 真空泵源: 分子泵一臺(tái)（抽速600升/秒）