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擇壓儀，擇壓法砂漿強(qiáng)度檢測(cè)儀

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滄州晟鎧儀器設(shè)備有限公司

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擇壓儀，擇壓法砂漿強(qiáng)度檢測(cè)儀是根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JGJ/T234-2011用于檢測(cè)建筑工程砌筑砂漿的抗壓強(qiáng)度的檢測(cè)儀器

詳細(xì)介紹

擇壓儀，擇壓法砂漿強(qiáng)度檢測(cè)儀

是根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JGJ/T234-2011用于檢測(cè)建筑工程砌筑砂漿的抗壓強(qiáng)度的檢測(cè)儀器
一、主要技術(shù)參數(shù)：
1、壓力測(cè)試范圍:0-5000N,顯示單位:1N
2、工作電壓:220V
3、工作溫度:5-35℃ 建議在室溫為10-30℃下使用
二、擇壓儀應(yīng)滿足下列技術(shù)要求：
1、整體結(jié)構(gòu)應(yīng)有足夠強(qiáng)度的剛度；
2、擇壓儀用圓平壓頭的直徑為（10±0.05）mm，額定行程不應(yīng)小于18mm；
3、擇壓儀應(yīng)設(shè)有對(duì)中自動(dòng)調(diào)平系統(tǒng)；
4、擇壓儀的極限壓力應(yīng)為5000N；
三、擇壓法砂漿強(qiáng)度檢測(cè)儀抽樣方法應(yīng)符合下列規(guī)定:
1．檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物或建筑物的一部分時(shí)，可將其劃分為一個(gè)或若干份個(gè)獨(dú)立的檢測(cè)單元。對(duì)連續(xù)墻體劃分檢測(cè)單元時(shí)，每片墻的高度不宜大于3.5m，水平長(zhǎng)度不宜大于6.0m。
2.每一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi)的墻體多于6片時(shí)，隨機(jī)抽樣的墻片數(shù)量不應(yīng)少于6片；當(dāng)一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi)不多于6片時(shí)，每片墻勻應(yīng)檢測(cè)每片墻內(nèi)至少應(yīng)不止1個(gè)測(cè)區(qū)，當(dāng)每片墻布置2個(gè)或2個(gè)以上側(cè)區(qū)時(shí)，宜沿墻高均勻分布。當(dāng)檢測(cè)單元僅為單片墻時(shí)，測(cè)區(qū)不應(yīng)少于2個(gè)。
3.每個(gè)測(cè)區(qū)的面積宜為0.5m×0.5m。
4.應(yīng)隨機(jī)在每個(gè)測(cè)區(qū)的水平灰縫內(nèi)取出6個(gè)面積不小于30mm×30mm、厚度為8mm～16mm的砂漿片試樣，其中1個(gè)應(yīng)為備份試樣，其余5個(gè)應(yīng)為試驗(yàn)試樣。試樣的兩面應(yīng)相對(duì)平行。取得的試樣應(yīng)使用同一容器収置并編號(hào)入冊(cè)。
4.砂漿試驗(yàn)應(yīng)在深入墻體表便20mm以內(nèi)抽取，不應(yīng)在獨(dú)立磚柱或長(zhǎng)度小于1m的墻體抽取，也不應(yīng)在承重梁正下方的墻體上抽取。
四、試件制作應(yīng)符合下列規(guī)定：
1.制作的試件zui小中心線性長(zhǎng)度不應(yīng)小于30mm；
2.試件受壓面應(yīng)平整和無(wú)缺陷，對(duì)于不平整的受壓面，可用砂紙打磨；
3.試件表面的砂粒和浮沉應(yīng)清除。
五、檢測(cè)：
1.砂漿試樣應(yīng)在自然干燥的狀態(tài)下進(jìn)行檢測(cè)；當(dāng)砂漿試樣處于潮濕狀態(tài)時(shí)，應(yīng)自然晾干或烘干。
2.砂漿試件的厚度應(yīng)使用游標(biāo)卡尺進(jìn)行量測(cè)，測(cè)厚點(diǎn)應(yīng)在擇壓作用面內(nèi)，讀數(shù)應(yīng)至0.1mm，并應(yīng)取3個(gè)不同部位厚度的平均值作為試件厚度。
3.在擇壓儀的兩個(gè)壓頭表面，應(yīng)各貼一片厚度小于1mm、面積略大于圓平壓頭的薄橡膠墊。啟動(dòng)擇壓儀，應(yīng)設(shè)置數(shù)顯測(cè)讀系統(tǒng)為峰值保持狀態(tài)，并應(yīng)確認(rèn)計(jì)量單位為牛頓（N）。
4.砂漿試件應(yīng)垂直對(duì)中放置在擇壓儀的兩個(gè)壓頭之間，壓頭作用面邊緣至砂漿試件邊緣的距離不宜小于10mm。
5.對(duì)砂漿試件進(jìn)行加荷試驗(yàn)時(shí)，加荷速率宜控制在每秒為預(yù)估破壞荷載的1/15～1/10，并應(yīng)持續(xù)至試件破壞為止。擇壓荷載值應(yīng)為砂漿試件破壞時(shí)擇壓儀數(shù)顯測(cè)讀系統(tǒng)顯示的峰值，并應(yīng)至1N.