GDS850輝光放電光譜儀采用低壓，冷激發(fā)光源，材料被氬離子流均勻地從樣品表面剝離濺射。 被濺射出的材料原子在遠離樣品表面低氬的等離子體內被激發(fā)。 GDS850的配備提高了實驗室的質量控制和研發(fā)能力，它提供了非常準確的基體分析以及成分深度剖析涂層分析和表面處理的結果。 儀器檢測光譜范圍從120到800納米，zui多配置58個通道。

GDS850輝光放電光譜儀特征

• 濺射與激發(fā)分離
• 寬動態(tài)范圍的線性校準曲線
• 更小自吸收和材料再沉積
• 原子線激發(fā)
• 少和窄的發(fā)射線減少干擾
• 無冶金記憶效應
• 較少的校準標樣
• 低氬氣消耗
• 兩次分析間的自動清掃

均勻的濺射

其他方法可能只是激發(fā)樣品表面，所采集的數據并不一定具有代表性。而輝光放電，樣品材料均勻地從表面激發(fā)濺射， 冷光源的激發(fā)為一些困難樣品的檢測提供了很好的技術。

型號

• GDS850

可選件

• 射頻光源
• 統(tǒng)計軟件包
• 光源套件
• 樣品夾持器
• SMARTLINE遠程診斷軟件求
• 耗材

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