介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀由Q表、測(cè)試裝置，電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測(cè)試。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

1 特點(diǎn)：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～60MHz介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的（tanδ）和（ε）的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生10kHz～60MHz, 100kHz～160MHz 測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

2 主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～60MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）： tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

2.2 Q表

1	型號(hào)	10kHz-60MHz	100kHz-160MHz
2	工作頻率范圍	10kHz～60MHz 四位數(shù)顯，數(shù)字合成精度：±50ppm	100kHz～160MHz 四位數(shù)顯，數(shù)字合成精度：±50ppm
3	Q值測(cè)量范圍	1～1000 四位數(shù)顯，±0.1Q分辨率	1～1000 四位數(shù)顯，±0.1Q分辨率
4	可調(diào)電容范圍	40～500 pF ΔC±3pF	13～230 pF
5	電容測(cè)量誤差	±1%±1pF	±1%±0.5pF
6	Q表殘余電感值	約20nH	約8nH

2.3 介質(zhì)損耗裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：
916:Φ38mm和Φ50mm二種.
914:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率： 0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍： ±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距： 25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值: ≤2.5×10-4

2.4 電感器：
按測(cè)試頻率要求，需要配置不同量的電感器。例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配250μH電感器，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等。

2.5 高頻介質(zhì)樣品（選購(gòu)件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu)，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性

它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

c類(lèi)數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz～60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理，以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值，電感量和分布電容量；電容器的電容量和損耗角。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗（tanδ）和介電常數(shù)（ε），高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。本Q表依照國(guó)家計(jì)量檢定規(guī)程：“JJF1073-2000高頻Q表校準(zhǔn)規(guī)范”執(zhí)行。

1 特點(diǎn)：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值讀取技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q。
◎ DPLL合成發(fā)生10kHz～60MHz,測(cè)試信號(hào)。
◎ 低至20nH殘余電感，保證高頻時(shí)直讀Q值的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ 數(shù)字化Q值預(yù)置，能提高批量測(cè)試的可靠性和速度。

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀由Q表、測(cè)試裝置，電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

1 特點(diǎn)：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在100kHz～160MHz介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的（tanδ）和（ε）的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生10kHz～60MHz, 100kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

2 主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～60MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：tanδ： 0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）： tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

2 主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 測(cè)試信號(hào)頻率范圍：10kHz～60MHz，數(shù)字合成，可數(shù)字設(shè)置或連續(xù)調(diào)節(jié)，五位有效數(shù)顯。
2.2 Q值測(cè)量范圍：1～1000四位數(shù)顯，分辨率0.1Q。分100、316、999三檔，量程可自動(dòng)切換。
2.3 Q值固有誤差：±5%±3% 滿刻度值。
2.4 有效電感測(cè)量范圍：0.1µH～1000mH。
2.5 電感測(cè)量誤差：≤5%±0.02µH
2.6 調(diào)諧電容特性：
2.6.1可調(diào)電容范圍：40pF～500 pF。
2.6.2 精確度：±1% 或0.5pF。
2.6.3微調(diào)電容器：-3pF～0～+3pF，分辨率：0.2pF
2.6.4殘余電感值：約30nH。
2.7 Q預(yù)置功能：Q預(yù)置范圍：1～1000均可。

BH916 介質(zhì)損耗測(cè)試裝置（數(shù)顯）

BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與C類(lèi)Q表及電感器配用，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
本測(cè)試裝置是由測(cè)微平板電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過(guò)公式計(jì)算得到。同樣，由平板電容器的刻度讀數(shù)變化，通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

1工作特性
1.1 平板電容器：
1.1.1 極片尺寸：
c類(lèi)-38：Φ38mm.
c類(lèi)-50：Φ50mm.
1.1.2 極片間距可調(diào)范圍和分辨率：
≥8mm， ±0.002mm
1.2 夾具插頭間距：
25mm±1mm
1.3夾具損耗角正切值
≤2.5×10-4

附表二,LKI-1電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)

線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz   202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7   49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1   25MHz 50MHz 233211   0.9 0.125μH

標(biāo)簽：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀 介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀

關(guān)鍵詞：絕緣材料電容器

其他推薦產(chǎn)品更多>>