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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)GDAT-A
品 牌
廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地
聯(lián)系方式：陳丹查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間：2022-05-27 11:43:34瀏覽次數(shù)：130次
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經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠(chǎng)家
商鋪產(chǎn)品：2565條
所在地區(qū)：北京北京市
聯(lián)系人：陳丹 （經(jīng)理）
介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)檢測(cè)儀適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備及相關(guān)絕緣材料的介損和介電常數(shù)的測(cè)量，支持正反接測(cè)試。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)檢測(cè)儀技術(shù)參數(shù):
信號(hào)源頻率范圍: DDS數(shù)字合成 10KHz-70MHz
Q測(cè)量范圍: 1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程
信號(hào)源頻率覆蓋比: 6000:1
Q分辨率: 4位有效數(shù),分辨率0.1
信號(hào)源頻率精度: 3×10-5 ±1個(gè)字,6位有效數(shù)
Q測(cè)量工作誤差: <5%
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電感測(cè)量范圍: 15nH-8.4H,4位有效數(shù),分辨率0.1nH
調(diào)諧電容: 主電容30-500PF
電感測(cè)量誤差: <5%
調(diào)諧電容誤差和分辨率:±1.5P或<1%
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量頻點(diǎn): 全波段任意頻率下均可測(cè)試
Q合格預(yù)置范圍: 5-1000聲光提示
諧振點(diǎn)搜索: 自動(dòng)掃描
Q量程切換: 自動(dòng)/手動(dòng)
諧振指針: LCD顯示
LCD顯示參數(shù): F,L,C,Q,波段等
介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)檢測(cè)儀
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介電常數(shù)測(cè)試儀GDAT高頻Q表
| 平板電容極片 | Φ50mm/Φ38mm可選 | 頻率范圍 | 20KHz-60MHz/200KHz-160MHz |
| 間距可調(diào)范圍 | ≥15mm | 頻率指示誤差 | 3×10-5±1個(gè)字 |
| 夾具插頭間距 | 25mm±0.01mm | 主電容調(diào)節(jié)范圍 | 30-500/18-220pF |
| 測(cè)微桿分辨率 | 0.001mm | 主調(diào)電容誤差 | <1%或1pF |
| 夾具損耗角正切值 | ≦4×10-4 (1MHz) | Q測(cè)試范圍 | 2～1023 |
介電常數(shù)測(cè)試儀附表二,LKI-1電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)
| 線(xiàn)圈號(hào) | 測(cè)試頻率 | Q值 | 分布電容p | 電感值 |
| 9 | 100KHz | 98 | 9.4 | 25mH |
| 8 | 400KHz | 138 | 11.4 | 4.87mH |
| 7 | 400KHz | 202 | 16 | 0.99mH |
| 6 | 1MHz | 196 | 13 | 252μH |
| 5 | 2MHz | 198 | 8.7 | 49.8μH |
| 4 | 4.5MHz | 231 | 7 | 10μH |
| 3 | 12MHz | 193 | 6.9 | 2.49μH |
| 2 | 12MHz | 229 | 6.4 | 0.508μH |
| 1 | 25MHz 50MHz | 233 211 | 0.9 | 0.125μH |
介電常數(shù)介質(zhì)損耗(介質(zhì)損耗角)測(cè)試儀
型號(hào):GDAT-C
介電常數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn):
空洞共振腔適用于CCL/印刷線(xiàn)路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。
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介電常數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)特性:
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zei低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。
介質(zhì)損耗測(cè)試裝置
介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與精密數(shù)字電橋配用,能對(duì)薄膜和各種板材絕緣材料進(jìn)行高低頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006, GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
本測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用電橋作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的D值(損耗因素)變化和Cp(電容值)讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。
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