德國Freiberg Instruments 電阻率測試儀（RESmap ）在對低電阻率晶錠和晶圓進(jìn)行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重復(fù)性 Si | Ge | 化合物半導(dǎo)體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導(dǎo)電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]

詳細(xì)介紹

在對低電阻率晶錠和晶圓進(jìn)行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重復(fù)性Si | Ge | 化合物半導(dǎo)體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導(dǎo)電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]

特征：

電阻率的非接觸式測量和成像	高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化
信號靈敏度	基于線圈頻率讀數(shù)（正在申請）的高信號靈敏度，可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確可靠的電阻率測量，并具有高再現(xiàn)性和可重復(fù)性
測量時間	測量時間 < 3 s，測量之間時間 < 1 s
測量速度	200 mm 晶圓/晶錠 < 30 s，9個點(diǎn)
多點(diǎn)測量及測繪顯示	不超過9999個點(diǎn)
材料外形尺寸	平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜
X-Y位置分辨率	≥ 0.1mm
邊緣扣除	5 mm
可靠性	模塊化、緊湊的臺式儀器設(shè)計，可靠性高，正常運(yùn)行時間 > 99%
電阻率測量的重復(fù)性	≤ 0.15%，基于使用ANOVA Gage R&R方法對材料系統(tǒng)分析（MSA）

更多技術(shù)規(guī)格和配置選項:

為自動化流程做準(zhǔn)備	可用于不同的平臺
測量方法符合	SEMI MF673標(biāo)準(zhǔn)
數(shù)據(jù)及數(shù)據(jù)有效性檢查	使用NIST標(biāo)準(zhǔn)
校準(zhǔn)精度	±1%
集成紅外溫度傳感器（±0.1°）	允許報告標(biāo)準(zhǔn)溫度下的電阻率，（與樣品的實(shí)際溫度不同）
樣品厚度校準(zhǔn)	對于高頻信號穿透深度大于穿透深度的樣品
電力要求	100-250 VAC, 5 A
尺寸	465 ′ 550 ′ 600 mm
軟件控制	配備Window10或新版本的標(biāo)準(zhǔn)PC，2個以太網(wǎng)端口

用戶友好且的操作軟件：

◇ 電阻率測量配方；

◇ 導(dǎo)出/導(dǎo)入功能和原始數(shù)據(jù)訪問；

◇ 多級用戶賬戶管理；

◇ 所有執(zhí)行的測量概覽；

◇ 繪圖選項（線、十字、星、完整地圖、地形、用戶定義圖案）；

◇ 分析功能包；統(tǒng)計、方差分析、溫度校正函數(shù)和數(shù)據(jù)庫；

◇ 遠(yuǎn)程訪問；基于互聯(lián)網(wǎng)的系統(tǒng)允許在世界任何地方進(jìn)行遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持；

電渦流傳感器的測量原理

中心處可實(shí)現(xiàn)較大的準(zhǔn)確性和精確度

4H-SiC晶圓整個生長面區(qū)域的電阻率變化測量

硅晶圓電阻率變化測量 — 面掃描、分布和線掃描

關(guān)鍵詞：紅外溫度傳感器溫度傳感器傳感器

以上信息由企業(yè)自行提供，信息內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé)，環(huán)保在線對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。溫馨提示：為規(guī)避購買風(fēng)險，建議您在購買產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

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電阻率測試儀（RESmap ）

束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司

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