IGBT靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)IGBT參數(shù)包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS,r CE等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證0.5%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度, 達(dá)到目前國(guó)外進(jìn)口同類產(chǎn)品優(yōu)質(zhì)水平。

詳細(xì)介紹

IGBT靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主要特征簡(jiǎn)述：

1、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀是我公司從國(guó)外引進(jìn)的國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目。產(chǎn)品目前已通過(guò)國(guó)內(nèi)兩家計(jì)量站的綜合檢測(cè)認(rèn)定。經(jīng)過(guò)與國(guó)內(nèi)其他測(cè)試系統(tǒng)對(duì)比使用，測(cè)試系統(tǒng)在系統(tǒng)硬件的可靠性、穩(wěn)定性、功率范圍、測(cè)試范圍、系統(tǒng)測(cè)試精度、測(cè)試參數(shù)的*性等多項(xiàng)指標(biāo)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)國(guó)內(nèi)產(chǎn)品。測(cè)試系統(tǒng)目前是國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件測(cè)試測(cè)試儀器。

2、作為精密儀器引進(jìn)項(xiàng)目，系統(tǒng)嚴(yán)格按照軍產(chǎn)品之標(biāo)準(zhǔn)，全部選用優(yōu)質(zhì)可靠的元器件。系統(tǒng)嚴(yán)格按照軍可用整機(jī)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試檢驗(yàn)，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。所使用的各種繼電器，全部采用國(guó)外公司生產(chǎn)的水銀繼電器，從而大大提高了系統(tǒng)的測(cè)試速度，提高了系統(tǒng)的使用壽命。

3、服務(wù)周到是我公司的優(yōu)勢(shì)之一。選用本系統(tǒng)，我們的服務(wù)可以在一小時(shí)內(nèi)答復(fù)解決方案，到達(dá)用戶現(xiàn)場(chǎng)當(dāng)天解決系統(tǒng)出現(xiàn)的所有問(wèn)題。

4、在實(shí)際操作中，可真實(shí)達(dá)到電壓2000V、電流50A的測(cè)試條件。在極限值條件下測(cè)試，系統(tǒng)同樣保持高精度和良好的重復(fù)性、穩(wěn)定性。此項(xiàng)指標(biāo)遠(yuǎn)遠(yuǎn)*于國(guó)內(nèi)其他產(chǎn)品。

5、本系統(tǒng)測(cè)試原理和方法符合國(guó)家相關(guān)規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)。

6、大功率器件測(cè)試采用脈沖法測(cè)試，脈沖寬度為規(guī)定的300uS。

7、系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)*，升級(jí)能力強(qiáng)。為用戶今后做系統(tǒng)升級(jí)提供了有力的技術(shù)保障。系統(tǒng)硬件支持電壓升級(jí)到5000V，電流升級(jí)到1250A。

8、系統(tǒng)采用*的嵌入式計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)脫機(jī)測(cè)試功能。提高了系統(tǒng)的可靠性和使用靈活性。

9、系統(tǒng)和測(cè)試夾具全部采用多級(jí)開爾文技術(shù)，采用無(wú)電纜連接設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。各種測(cè)試夾具均由高級(jí)器件插座和高級(jí)插頭采用開爾文技術(shù)連接裝配，不僅確保長(zhǎng)壽命工作，可靠性*，*使用壽命在5X106次以上。使測(cè)試數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確無(wú)誤。

10、系統(tǒng)具有被測(cè)器件引腿接觸自動(dòng)判斷功能。遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止對(duì)被測(cè)器件測(cè)試，可確保被測(cè)器件不受損壞。

11、真正的動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測(cè)試。（國(guó)內(nèi)其他系統(tǒng)采用直流方法測(cè)動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)，測(cè)試結(jié)果與器件實(shí)際值偏差很大）。

12、二極管極性自動(dòng)判別測(cè)試功能，不需人工判別極性測(cè)試，方便操作。

13、具有單參數(shù)測(cè)試延時(shí)編程功能，用戶可根據(jù)不同器件要求選擇延遲時(shí)間，增強(qiáng)參數(shù)測(cè)試穩(wěn)定性。

14、豐富的WINDOWS界面菜單編程和控制能力，方便的用戶信息文件、統(tǒng)計(jì)文件方式，可以給出批次測(cè)試失效數(shù)量、合格數(shù)量，按實(shí)測(cè)指標(biāo)分類器件數(shù)量。測(cè)試結(jié)果可以給出excel等多種形式。

15、96個(gè)程序步，99種分類。

16、混合參數(shù)編程方式（參數(shù)測(cè)試編程不受器件類別限制），可以對(duì)同一器件選用不同類別器件的參數(shù)進(jìn)行編程，大大的擴(kuò)展系統(tǒng)測(cè)試能力，對(duì)被測(cè)器件進(jìn)行測(cè)試和分析，軟件使用方便靈活。自動(dòng)/固定量程測(cè)試功能，選用自動(dòng)量程時(shí)，系統(tǒng)根據(jù)實(shí)測(cè)范圍自動(dòng)調(diào)整以達(dá)到很高的測(cè)試精度。內(nèi)部設(shè)有可選擇的電流型負(fù)載和阻型負(fù)載。

17、阻型負(fù)載：機(jī)內(nèi)設(shè)有不同阻值的電阻負(fù)載供選擇。

18、電流型負(fù)載：機(jī)內(nèi)設(shè)有不同檔位的恒流源負(fù)載供選擇。

19、用戶可以按照參數(shù)要求，自己設(shè)定參數(shù)自動(dòng)分檔功能，以便把不同參數(shù)的器件自動(dòng)加以區(qū)分、配對(duì)提高器件使用價(jià)值。

20、高速參數(shù)測(cè)試和存儲(chǔ)功能，參數(shù)分析能力。平均每參數(shù)測(cè)試時(shí)間只有1毫秒。

21、在線系統(tǒng)故障判斷修復(fù)能力，便于用戶應(yīng)急處理排除故障。

22、自檢、自校準(zhǔn)功能。系統(tǒng)提供自檢測(cè)試程序和夾具。系統(tǒng)故障自動(dòng)判別到器件級(jí)。自校準(zhǔn)功能可將系統(tǒng)誤差存入內(nèi)置計(jì)算機(jī)，不需人工校準(zhǔn)即可實(shí)現(xiàn)精確測(cè)試。

23、錯(cuò)誤信息提示和在線幫助，面板顯示被測(cè)器件不合格參數(shù)和單步實(shí)測(cè)參數(shù)值。在線幫助是在線提示用戶如何簡(jiǎn)便使用該測(cè)試系統(tǒng)。

24、測(cè)試結(jié)果計(jì)算功能，系統(tǒng)可以將任意測(cè)試程序步的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行計(jì)算，形成新的測(cè)試結(jié)果，方便用戶進(jìn)行分析，解決、擴(kuò)展特殊參數(shù)的測(cè)試可以將測(cè)試程序中任意步的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行計(jì)算，形成新的測(cè)試結(jié)果，方便用戶對(duì)器件進(jìn)行分析。

25、單步測(cè)試功能，用于對(duì)單個(gè)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，同時(shí)將測(cè)試結(jié)果值在前面板上顯示，方便用戶分析。

26、測(cè)試結(jié)果分檔功能：用戶可以按照參數(shù)要求，設(shè)定參數(shù)自動(dòng)分檔功能，系統(tǒng)把不同參數(shù)的器件自動(dòng)加以區(qū)分、配對(duì)，提高器件使用價(jià)值。

27、機(jī)械手、探針臺(tái)、多終端、可選掃描、多路陣列擴(kuò)展測(cè)試能力。

28、可進(jìn)行實(shí)時(shí)運(yùn)算，允許測(cè)試結(jié)果比較與數(shù)值計(jì)算。

29、功率源選用久經(jīng)驗(yàn)證的電源線路，結(jié)合航天電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，在此基礎(chǔ)上形成具有自主產(chǎn)權(quán)的功率源發(fā)明專li技術(shù)。

30、系統(tǒng)設(shè)計(jì)綜合美國(guó)、日本多種*結(jié)構(gòu)技術(shù)。

31、承諾確保系統(tǒng)使用壽命可以達(dá)到十年以上，系統(tǒng)功能正常，參數(shù)指標(biāo)符合出廠標(biāo)準(zhǔn)。

上述只列出該系統(tǒng)的部分常用特征。其它多種綜合處理能力在使用中可以不斷開發(fā)擴(kuò)大。可根據(jù)用戶測(cè)試使用的要求，方便地選通其他特征。

天光測(cè)控-IGBT靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

絕緣柵晶體管、IGBT測(cè)試參數(shù)及精度

電參數(shù)名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
ICES IGESF IGESR	0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)（2）	100nA(100pA)（1） - 50mA 100nA(100pA)（1）- 3A	1nA(50pA)（1）	1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)（1）
BVCES	0.1V-1000V- 1400V - 1600V	100μA - 200mA -100mA -50mA	5mV	1%＋100mV
VGETH	0.10V- 20.0V(80V)（2）	100nA- 3A	5mV	1%+10mV
VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合參數(shù))	VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE、VF: 0.10V - 9.99V	IC: 10μA-1250A - 1250A IGE、IF: 100nA - 10A	5mV	V: 1%+10mV IC,IF: 1%+100nA IGE: 1%+5nA