污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過(guò)濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲(chǔ)水/集水/排水/輔助 水處理膜 過(guò)濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
寧波瑞柯偉業(yè)儀器有限公司
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更新時(shí)間:2025-03-17 11:36:37瀏覽次數(shù):45次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線高溫四探針電阻率測(cè)試系統(tǒng)詳情介紹
功能概述:overview
1. 四探針雙電組合測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合
2. 配置高溫四探針測(cè)試探針治具
3. PC軟件對(duì)數(shù)據(jù)的處理和測(cè)量控制.
4. 量程測(cè)試范圍.
高溫四探針電阻率測(cè)試系統(tǒng)詳情介紹
應(yīng)用說(shuō)明: 半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對(duì)溫度變化測(cè)量要求,測(cè)控軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜,及過(guò)程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析. 適用行業(yè):Applicable industry: 用于:企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法 標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。 型號(hào)及參數(shù)Models and technical parameters: 規(guī)格型號(hào)Models FT-351A FT-351B FT-351C 1.方塊電阻范圍sheet resistance 10-5~2×105Ω/□ 10-6~2×105Ω/□ 10-4~1×107Ω/□ 2.電阻率范圍resistivity range 10-6~2×106Ω-cm 10-7~2×106Ω-cm 10-5~2×108Ω-cm 3.測(cè)試電流范圍test current range 0.1μA.μA.0μA,100µA,1mA,10mA,100 mA 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA 10mA ---200pA 4.電流精度current accuracy ±0.1%讀數(shù) ±0.1讀數(shù) ±2% 5.電阻精度resistance accuracy ≤0.3% ≤0.3% ≤10% PC軟件界面 PC software interface 顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率 LCD: resistance.resistivity. sheet resistance. temperature.unit conversion. temperature coefficient. current. voltage. probe shape. probe spacing. thickness 7.測(cè)試方式test mode 雙電測(cè)量Double electrical measurement 8.四探針儀工作電源working power AC 220V±10%.50Hz <30W 9.誤差errors ≤3%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果 standard samples) ≤15% 溫度(選購(gòu))Highest temperature (choose and buy) 常溫 Normal temperature -400℃;600℃;800℃;1000℃;1200℃;1400℃;1600℃ 氣氛保護(hù)(氣體客戶自備) Atmosphere protection(Gas was provided by customers themselves) 常用氣體如下:氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn),均為無(wú)色、無(wú)臭、氣態(tài)的單原子分子 The usual gases are: helium (He). neon (Ne). argon (Ar). krypton (Kr). xenon (Xe). and radon (Rn). all in colorless. odorless. gaseous monatomic molecules. 溫度精度 Temperature precision 沖溫值 Blunt temperature values:≤1-3℃;控溫精度 control precision:±1°C 升溫速度: rate of temperature increase 常溫開(kāi)始400℃--800℃需要15分鐘;800℃-1200℃需要30分鐘;1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘 About 15 minutes at room temperature to 400 ℃. 800 ℃;800 ℃ to 1200 ℃ need 30 minutes;1400 ℃ to 1600 ℃ to 250 minutes. 300 minutes 高溫材料 High temperature material 采用復(fù)合陶瓷纖維材料,具有真空成型,高溫不掉粉的特征Adopt composite ceramic fiber material. have vacuum forming. high temperature not drop powder PC軟件 PC software 測(cè)試PC軟件一套,USB通訊接口,軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)!One set Special test PC software. USB communication interface. software interface synchronization display. analysis. save and print data! 電極材料 Electrode materials 鎢電極或鉬電極 Tungsten electrode or molybdenum electrode 探針間距 The probe spacing 直線型探針,探針中心間距:4mm;樣品要求大于13mm直徑Linear probe. probe center spacing: 4mm;Sample requirements are greater than 13mm diameter 標(biāo)配外(選購(gòu)): Except standard configuration (optional) 電腦和打印機(jī)1套;2.標(biāo)準(zhǔn)電阻1-5個(gè); 1 . One set computer and printer 2.Standard resistance 1 to 5pcs 高溫電源: High temperature power 供電:400-1200℃ 電源220V,功率4KW;380V;1400℃-1600℃電源380V;功率9KW: Power supply: 400-1200 ℃ power 220 v. 4 kw power;380 v;1400 ℃ to 1600 ℃ power supply380V ; power 9KW
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