模擬高斯計(jì)F3A

SENIS模擬高斯計(jì)F3A系列產(chǎn)品介紹

F3A模擬高斯計(jì)*集成3軸霍爾探頭。

霍爾探頭包含一個(gè)CMOS集成電路，它包含三組相互正交的霍爾元件，偏置電路，放大器，

和溫度傳感器。集成的霍爾元件只有非常小的面積（150μm×150μm），探頭具有非常高的空間分辨率。 CMOS IC技術(shù)可以在垂直和水平霍爾元件的制造中實(shí)現(xiàn)非常高的精度，從而提供探頭的三個(gè)測(cè)量軸的高角度精度（正交誤差<0.1°）。旋轉(zhuǎn)電流技術(shù)在霍爾元件偏置中的應(yīng)用抑制了平面霍爾效應(yīng)。片上信號(hào)預(yù)處理可實(shí)現(xiàn)探頭的*頻率帶寬（DC至25 kHz）;并且片上信號(hào)放大提供霍爾探頭的高輸出信號(hào)，這使得傳感器免受電磁干擾。

霍爾探頭與電子盒連接（圖1中的模塊E）。模塊E為霍爾探頭提供偏置，并對(duì)其進(jìn)行額外調(diào)節(jié)霍爾探頭輸出信號(hào)：放大，線性化，抵消偏移，溫度變化補(bǔ)償和頻率帶寬限制。

F3A磁傳感器的輸出可在模塊E的連接器CoS處獲得：這些是與磁通量的每個(gè)測(cè)量組件成比例的高電平差分電壓密度;以及與探頭溫度成比例的接地參考電壓。

產(chǎn)品特性

1.*集成的CMOS 3軸（Bx，By，Bz）霍爾探頭，可以使用其中的一個(gè)，兩個(gè)或三個(gè)通道

2.非常高的空間分辨率（By：0.03 x 0.005 x 0.03mm 3; Bx和Bz：0.15 x 0.01 x 0.15 mm 3）

3.高角度精度（正交誤差小于0.1°）

4.幾乎沒有平面霍爾效應(yīng)?

5.高帶寬（從DC到25kHz）

6.高抗干擾性

7.探頭上的感應(yīng)回路可忽略不計(jì)

8.探頭上的集成溫度傳感器用于溫度補(bǔ)償

典型應(yīng)用

1.永磁鐵的性能與質(zhì)量控制

2.磁鐵系統(tǒng)的研發(fā)

3.磁場(chǎng)映射

4.磁鐵的質(zhì)量控制和監(jiān)控 （發(fā)電機(jī)，電動(dòng)機(jī)等）

5.在實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)線中應(yīng)用

圖1. 采用SENIS磁場(chǎng) - 電壓傳感器的典型測(cè)量裝置，帶有*集成的霍爾探頭（模塊H）和電子（模塊E）

圖2. 帶有*集成霍爾探頭的3軸磁場(chǎng)傳感器

模塊H參數(shù)

霍爾探頭具有多種不同的幾何形狀/尺寸，可滿足廣泛的應(yīng)用需求。

磁場(chǎng)與電子參數(shù)

除非另有說明，否則所有用于三個(gè)B測(cè)量通道Bx，By和Bz的參數(shù)，適用于室溫（23°C）和設(shè)備預(yù)熱15分鐘后。

模塊E：機(jī)械與電子參數(shù)