施耐德XSZMCR30接近開關

在磁場一定時，載流子的遷移率越高，其磁阻效應越明顯。當材料中僅存在一種載流子時磁阻效應幾乎可以忽略，此時霍爾接近開關效應更為強列。在電子和空穴都存在的材料中，磁阻效應很強。所以磁敏電阻通常選 用銻化銦、砷化銦、銻化鎳等半導體材料。磁阻效應還與磁阻材料的形狀、尺寸密切相關。這種與磁阻材料的形狀、尺寸有關的磁阻效應稱為磁阻效應的幾何磁阻效應。長方形磁阻器件只有在L<W的條件下，才表現(xiàn)出較高的靈敏度。長寬比L/W越小，其磁阻效應也越明顯。實驗表明，圓盤狀的磁敏電阻的磁阻效應大。

1、靈敏度：接近開關磁阻元件的靈敏度特性是用在一定磁場強度下的電阻變化率來表示的，即磁場-電阻特性的斜率K。在計算時常用磁場強度為0.3T或1T時的磁阻元件電阻值RA與零磁場時的磁阻元件電阻值RO的比值求得，即K=RB/RO。這種情況下，一般磁阻元件的靈敏度大于2.7.通常情況下，磁阻元件的靈敏度是非線性的，并且受溫度影響較大，所以使用時應該根據(jù)靈敏度特性進行溫度補償。

　　2、磁場-電阻特性：材料不同，磁敏電阻的阻值相對變化率通常也不相同，磁敏電阻的阻值相對變化率與磁場的極性無關，它只隨磁場強度的增加而增加。

　　3、電阻-溫度特性：由于磁敏電阻是由半導體材料制成的，因此它受溫度影響很大。一般半導體磁阻元件的電阻-溫度特性曲線。半導體磁阻元件的溫度特性不好。電阻值在35度的變化范圍內減小了1/2。因此在應用時，一般都要采取溫度補償措施。

　　4、標稱阻值和額定功率：磁敏電阻大部分與半導體電路配合使用，其電阻值通常為50-500歐，客定功率在環(huán)境溫度低80度時一般為幾毫瓦。

　　5、頻率特性：磁敏電阻的工作頻率范圍通常為1-10mhz。

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