施耐德XS1M08NA370接近開(kāi)關(guān)

　在磁場(chǎng)一定時(shí)，載流子的遷移率越高，其磁阻效應(yīng)越明顯。當(dāng)材料中僅存在一種載流子時(shí)磁阻效應(yīng)幾乎可以忽略，此時(shí)霍爾接近開(kāi)關(guān)效應(yīng)更為強(qiáng)列。在電子和空穴都存在的材料中，磁阻效應(yīng)很強(qiáng)。所以磁敏電阻通常選 用銻化銦、砷化銦、銻化鎳等半導(dǎo)體材料。磁阻效應(yīng)還與磁阻材料的形狀、尺寸密切相關(guān)。這種與磁阻材料的形狀、尺寸有關(guān)的磁阻效應(yīng)稱為磁阻效應(yīng)的幾何磁阻效應(yīng)。長(zhǎng)方形磁阻器件只有在L<W的條件下，才表現(xiàn)出較高的靈敏度。長(zhǎng)寬比L/W越小，其磁阻效應(yīng)也越明顯。實(shí)驗(yàn)表明，圓盤狀的磁敏電阻的磁阻效應(yīng)大。

1、靈敏度：接近開(kāi)關(guān)磁阻元件的靈敏度特性是用在一定磁場(chǎng)強(qiáng)度下的電阻變化率來(lái)表示的，即磁場(chǎng)-電阻特性的斜率K。在計(jì)算時(shí)常用磁場(chǎng)強(qiáng)度為0.3T或1T時(shí)的磁阻元件電阻值RA與零磁場(chǎng)時(shí)的磁阻元件電阻值RO的比值求得，即K=RB/RO。這種情況下，一般磁阻元件的靈敏度大于2.7.通常情況下，磁阻元件的靈敏度是非線性的，并且受溫度影響較大，所以使用時(shí)應(yīng)該根據(jù)靈敏度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

　　2、磁場(chǎng)-電阻特性：材料不同，磁敏電阻的阻值相對(duì)變化率通常也不相同，磁敏電阻的阻值相對(duì)變化率與磁場(chǎng)的極性無(wú)關(guān)，它只隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加而增加。

　　3、電阻-溫度特性：由于磁敏電阻是由半導(dǎo)體材料制成的，因此它受溫度影響很大。一般半導(dǎo)體磁阻元件的電阻-溫度特性曲線。半導(dǎo)體磁阻元件的溫度特性不好。電阻值在35度的變化范圍內(nèi)減小了1/2。因此在應(yīng)用時(shí)，一般都要采取溫度補(bǔ)償措施。

　　4、標(biāo)稱阻值和額定功率：磁敏電阻大部分與半導(dǎo)體電路配合使用，其電阻值通常為50-500歐，客定功率在環(huán)境溫度低80度時(shí)一般為幾毫瓦。

　　5、頻率特性：磁敏電阻的工作頻率范圍通常為1-10mhz。

施耐德XS1M08NA370接近開(kāi)關(guān)