隨著電子行業(yè)的日益迅速發(fā)展，集成電路的生產(chǎn)用水要求也越來越高。對(duì)集成電路的質(zhì)量要求越高，則水質(zhì)的要求相對(duì)來說也就越嚴(yán)格。集成電路用超純水設(shè)備是根據(jù)電子行業(yè)的特殊要求設(shè)計(jì)并生產(chǎn)的一款水處理設(shè)備，具有自動(dòng)化程度高、運(yùn)行穩(wěn)定、品質(zhì)有保證特點(diǎn),用戶可以根據(jù)自己實(shí)際的生產(chǎn)需要，調(diào)整設(shè)備的出水量。集成電路用超純水設(shè)備廣泛的應(yīng)用在大型工業(yè)、電子領(lǐng)域。

　　影響集成電路用超純水設(shè)備運(yùn)行的因素有：

　　1)、濁度、污染指數(shù)(SDI)的影響。

　　EDI組件產(chǎn)水通道內(nèi)填充有離子交換樹脂，過高的濁度、污染指數(shù)會(huì)使通道堵塞，造成系統(tǒng)壓差上升，產(chǎn)水量下降。

　　2)、硬度的影響。

　　如果EDI中進(jìn)水的殘存硬度太高，會(huì)導(dǎo)致濃縮水通道的膜表面結(jié)垢，濃水流量下降，產(chǎn)水電阻率下降;影響產(chǎn)水水質(zhì)，嚴(yán)重時(shí)會(huì)堵塞組件濃水和極水流道，導(dǎo)致組件因內(nèi)部發(fā)熱而毀壞。

　　3)、TOC(總有機(jī)碳)的影響。

　　進(jìn)水中如果有機(jī)物含量過高，會(huì)造成樹脂和選擇透過性膜的有機(jī)污染，導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行電壓上升，產(chǎn)水水質(zhì)下降。同時(shí)也容易在濃縮水通道形成有機(jī)膠體，堵塞通道。

　　4)、Fe、Mn等金屬離子的影響。

　　Fe、Mn等金屬離子會(huì)造成樹脂的“中毒”。樹脂的金屬“中毒”會(huì)造成EDI出水水質(zhì)的迅速惡化，尤其是硅的去除率迅速下降。另外變價(jià)屬對(duì)離子交換樹脂的氧化催化作用，會(huì)造成樹脂的性損傷。

　　5)、進(jìn)水中CO2的影響。

　　進(jìn)水中CO2生成的HCO3-是弱電解質(zhì)，容易穿透離子交換樹脂層而造成產(chǎn)水水質(zhì)下降。

　　6)、總陰離子含量(TEA)的影響。

　　高的TEA將會(huì)降低EDI產(chǎn)水電阻率，或需要提高EDI運(yùn)行電流，而過高的運(yùn)行電流會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)電流增大，余氯濃度增大，對(duì)極膜壽命不利。

　　7)、工作電壓-電流的影響。

　　工作電流增大，產(chǎn)水水質(zhì)不斷變好。但如果在增至高點(diǎn)后再增加電流，由于水電離產(chǎn)生的H+和OH-離子量過多，除用于再生樹脂外，大量富余離子充當(dāng)載流離子導(dǎo)電，同時(shí)由于大量載流離子移動(dòng)過程中發(fā)生積累和堵塞，甚至發(fā)生反擴(kuò)散，結(jié)果使產(chǎn)水水質(zhì)下降。

　　8)、EDI進(jìn)水電導(dǎo)率的影響。

　　在相同的操作電流范圍下，隨著原水電導(dǎo)率的增加EDI對(duì)弱電解質(zhì)的去除率減小，出水的電導(dǎo)率也增加。如果原水電導(dǎo)率低則離子的含量也低，而低濃度離子使得在淡室中樹脂和膜的表面上形成的電動(dòng)勢梯度也大，導(dǎo)致水的解離程度增強(qiáng)，極限電流增大，產(chǎn)生的H+和OH-的數(shù)量較多，使填充在淡室中的陰、陽離子交換樹脂的再生效果良好。

　　凈得瑞超純水設(shè)備系統(tǒng)主要采用全自動(dòng)反滲透+電去離子(EDI)+拋光混床超純水處理技術(shù)，前置預(yù)處理加反滲透處理，有效去除水中各種鹽份及雜質(zhì)，然后運(yùn)用CEDI及拋光混床系統(tǒng)，進(jìn)一步提升水質(zhì)，使出水達(dá)到用水工藝要求。

　　采用全自運(yùn)控制，具有產(chǎn)水水質(zhì)穩(wěn)定、操作簡便、運(yùn)行費(fèi)用低、綠色環(huán)保、維護(hù)方便等優(yōu)點(diǎn)。

　　超純水設(shè)備系統(tǒng)廣泛應(yīng)用這些行業(yè)：新能源行業(yè)(光伏、微電子、太陽能、新材料)、電子(集成電路、顯像管、線路板、電腦元件、電容器等)、電力(核電、光電、火力發(fā)電等)、光學(xué)、半導(dǎo)體、單/多晶硅、表面處理、化工、電鍍等相關(guān)行業(yè)。