IGBT管、可控硅、二極管通態(tài)壓降測試儀●　有不少用戶來電詢問有沒有一種可以直接測量功率場效應管、IGBT管、可控硅等器件判斷“電流"大小的儀器?　　　　　其實器件通過電流的大小的能力是:　　　　　 　　　
⑴、和器件芯片的面積成正比。即：芯片面積越大可以通過的電流就大，反之則小。　　　　　　　　　
⑵、和器件導通時的壓降成反比。即：通態(tài)壓降越小的管子就可以承受更大的通態(tài)電流?！　　　　　　　　?br />⑶、和器件的散熱面積成正比。即:封裝越大可承受的功耗和電流相對就大,反之則小?！　　?br />●　IGBT管、可控硅、二極管通態(tài)壓降測試儀這三個因素直接關(guān)系到器件輸出電流能力的大??；由于芯片是封在器件里面的無法檢測,設計產(chǎn)品時器件的型號和封裝及散熱條件也已確定,所以我們只能通過測量器件在大電流時的通態(tài)壓降來檢驗器件的質(zhì)量好壞，為此我們也必須要學會看器件的基本參數(shù),在眾多參數(shù)中我們更要知道和輸出電流、輸出功率有關(guān)的參數(shù)?！　　　　　　　　?br />⑴、功率場效應管的內(nèi)阻：Rds。如:（IRF3205在62A的條件下測試 Rds ≤0.008Ω）?！　　　　　　　　?br />⑵、IGBT管的飽和壓降：Vce(sa