華科智源替代大功率ITC57300的參數(shù)測(cè)試儀

IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)關(guān)特性決定裝置的開(kāi)關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確測(cè)量功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)性能具有極其重要的實(shí)際意義。

，華科智源替代大功率ITC57300的參數(shù)測(cè)試儀該系統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開(kāi)關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而專門設(shè)計(jì)的一套全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，適用于電流不超過(guò)1600A和集電極電壓不超過(guò)5000V的IGBT器件開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試以及正向電流不超過(guò)1600A的二極管反向恢復(fù)特性的測(cè)試。

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)述
TRd 2015系列是一款專門針對(duì)汽車級(jí)IGBT模塊的低電感動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)，提供30nH以內(nèi)系統(tǒng)寄生電感，2000A/1500V動(dòng)態(tài)輸出能力，5500A短路電流, 200度高溫平臺(tái)，適用于HPD，HP1，HP2，double side cooling等封裝形式的汽車級(jí)模塊。
二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 獨(dú)立的動(dòng)態(tài)或靜態(tài)測(cè)試，或動(dòng)靜態(tài)一體測(cè)試
2. 系統(tǒng)整體寄生電感低于30nH
3. 電流輸出能力10A到2000A(短路的5500A)
4. 電壓輸出能力從50V到1500V
5. 雪崩和短路測(cè)試可用。
6. IGBT測(cè)試*符合IEC 60747-9-2.0版
7. 二極管測(cè)試*兼容測(cè)試IEC 60747-2-2.0版
8. 可定制的測(cè)試選項(xiàng)
9. *符合安全標(biāo)準(zhǔn)
10. 提供自動(dòng)測(cè)試平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)和自動(dòng)化機(jī)械的無(wú)縫連接
11. 無(wú)縫數(shù)據(jù)傳輸和數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析
12. *新的圖形用戶界面

1. 系統(tǒng)整體寄生電感 lt;30nH
2. 電流輸出：10A-2000A
3. 電壓輸出：50V-1500V
4. 短路電流 大5500A
5. 自動(dòng)測(cè)試平臺(tái)：BTA 07 無(wú)縫兼容自動(dòng)化測(cè)試產(chǎn)線

三、測(cè)試能力

1. 柵極漏電流 IGES ：Ige 0 - 10μA,Vge 0-100V
2. 柵極閥值電壓 VGE(th)  ：Vge 0 - 20V ,ice 0-2A
3. 導(dǎo)通特性 VCEsat：Vce 0 - 10V，Ice 0-8000A
4. 開(kāi)通電阻 Rdson:0.1-500ohm
5. 正向特性 VF:Vf 0 - 10V，If 0.1-2000A
6. C-E擊穿電壓 VCES:  Ice 0.1uA-100mA ,Vce 0-10000V
7. 集電極關(guān)斷電流 ICES: Vce0 - 10000V Ice0.01 - 100mA

• 測(cè)試選件：

夾斷電壓 VP 

• 適用于模塊類型：

HPD，HP1，HP2，雙面散熱等封裝形式的汽車級(jí)模塊

晶體管圖示儀
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環(huán)境老化測(cè)試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測(cè)試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測(cè)試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件