您好, 歡迎來到環(huán)保在線！ 登錄| 免費注冊| 產(chǎn)品展廳| 收藏商鋪|
您好, 歡迎來到環(huán)保在線！ 登錄| 免費注冊| 產(chǎn)品展廳| 收藏商鋪|
當前位置：深圳市華科智源科技有限公司>>IGBT測試儀>>IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀>> ITC57300華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀
產(chǎn)品型號ITC57300
品 牌其他品牌
廠商性質生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
更新時間：2020-11-02 14:26:21瀏覽次數(shù)：791次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線
替代LEMSYS大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
| 測量范圍 | igbt mos bjt | 測量精度 | Vcesat Vgeth lces lges |
|---|---|---|---|
| 外形尺寸 | 500（寬）x 450（深）x 250（高）cm；mm | 用途 | 檢修地鐵 汽車 |
| 重量 | 30kg |
華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀業(yè)務范圍：大功率半導體測試系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務支持，同時還承擔著同類進口產(chǎn)品的售后維修服務，測試技術服務。
華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀產(chǎn)品優(yōu)勢：性價比高，可測器件種類多且參數(shù)齊全、測試精度高、速度快、保護性強、故障率低、軟件豐富、操作使用方便、售后服務及時周到。
服務領域：軌道交通、電動汽車、電力電子、航天、中船、科研高校等。
功能單元 | 參數(shù)指標 |
|
基本參數(shù) | 功率源：5000V/1600A |
|
柵極-發(fā)射極漏電流 | IGES: 0.1-10uA±2±0.01uA |
|
IGES | 集電極電壓VCE: 0V |
|
柵極電壓 Vge: 5-40V±3±0.1V | ||
| ||
集電極電壓VCES: 200-3000V±2±10V |
| |
集電極-發(fā)射極電壓 | 集電極電流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA |
|
柵極電壓 Vge: 0V |
| |
集電極-發(fā)射極飽和 | VCESat:0.1-5V±2±0.01V |
|
電壓VCESat | 柵極電壓Vge: ±15V±2±0.2V |
|
集電極電流ICE: 10-100A±2±1A | ||
| ||
集電極-發(fā)射極截止 | 集電極電壓VCE: 200-3000V±3 |
|
集電極電流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA | ||
電流ICES | ||
柵極電壓VGE: 0V | ||
| ||
柵極-發(fā)射極閾值電 | VGEth: 1-10V±2±0.1V |
|
壓 | Vce=15V |
|
| ||
二極管壓降測試 | VF: 0.1-5V±2±0.01V |
|
IF:5-100A±2±1A | ||
| ||
Vge: 0V |
| |
反向擊穿BVR | BVR：200-3000V±2±10V |
|
反向漏電流IR | IR：0.1-10mA±3±0.01mA |
|
| ||
導通電阻RDS（on） | 1-10mΩ±2±0.1 mΩ |
|
10-50mΩ±2±0.5 mΩ |
|
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業(yè)自行提供，信息內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由相關企業(yè)負責，環(huán)保在線對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示：為規(guī)避購買風險，建議您在購買產(chǎn)品前務必確認供應商資質及產(chǎn)品質量。
環(huán)保在線