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深圳市華科智源科技有限公司
深圳市華科智源科技有限公司
產(chǎn)品型號HUSTEC-1600A-MT
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
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更新時間：2025-03-04 10:44:05瀏覽次數(shù)：162次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 設(shè)備尺寸 | 500（寬）x 450（深）x 250（高）mm |
|---|---|---|---|
| 質(zhì)量 | 30kg | 海拔高度 | 海拔不超過 1000m |
| 儲存環(huán)境 | -20℃～50℃ | 工作環(huán)境 | 15℃～40℃ |
| 相對濕度 | 20%RH ~ 85%RH | 大氣壓力 | 86Kpa～ 106Kpa |
| 防護 | 無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害 | 用電要求 | AC220V，±10% |
| 電網(wǎng)頻率 | 50Hz±1Hz |
華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，測試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計，封裝測試，軌道交通，電動汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。
HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀
一：IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀主要特點
華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現(xiàn)在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；
IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀測試參數(shù)：
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?/span>
整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。
二：IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀應(yīng)用范圍
A：IGBT單管及模塊，
B：大功率場效應(yīng)管（Mosfet）
C：大功率二極管
D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻
E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測
三、IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀特征：
A：測量多種IGBT、MOS管
B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；
C：脈沖寬度 50uS~300uS
D：Vce測量精度2mV
E：Vce測量范圍>10V
F：電腦圖形顯示界面
G：智能保護被測量器件
H：上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能
I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降
J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)
K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比；
序號 | 測試項目 | 描述 | 測量范圍 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二極管正向?qū)▔航?/span> | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二極管正向?qū)娏?/span> | 0~1200A | ≤200A時,0.1A | ≤200A時,±1%±0.1A |
3 | ＞200A時,1A | ＞200A時,±1% | |||
4 | Vces | 集電極-發(fā)射極電壓 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通態(tài)集電極電流 | 0~1200A | ≤200A時,0.1A | ≤200A時,±1%±0.1A |
6 | ＞200A時,1A | ＞200A時,±1% | |||
7 | Ices | 集電極-發(fā)射極漏電流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 柵極-發(fā)射極閾值電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集電極-發(fā)射極飽和電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向柵極漏電流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向柵極漏電流 | |||
12 | Vges | 柵極發(fā)射極電壓 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
華科智源IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀針對 IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測試系統(tǒng)；自動化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動工作），計算機可以記錄測試結(jié)果，測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲，測試方法靈活（可測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試），安全穩(wěn)定（對設(shè)備的工作狀態(tài)進行全程實時監(jiān)控并與硬件進行互鎖），具有安全保護功能，測試速度方便快捷。
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