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MOS管測(cè)試儀

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產(chǎn)品型號(hào)HUSTEC-1600A-MT

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更新時(shí)間：2024-05-14 13:59:58瀏覽次數(shù)：207次

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深圳市華科智源科技有限公司

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地	國產(chǎn)

華科智源MOS管測(cè)試儀，測(cè)試二極管、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試，軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。

詳細(xì)介紹

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

MOS管測(cè)試儀

一：MOS管測(cè)試儀主要特點(diǎn)

華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過程簡單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；

MOS管測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)：

ICES 集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/span>

整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。

二：MOS管測(cè)試儀應(yīng)用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場(chǎng)效應(yīng)管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)

三、MOS管測(cè)試儀特征：

A：測(cè)量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測(cè)量精度2mV

E：Vce測(cè)量范圍>10V

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護(hù)被測(cè)量器件

H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測(cè)試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比；

序號(hào)	測(cè)試項(xiàng)目	描述	測(cè)量范圍	分辨率	精度
1	VF	二極管正向?qū)▔航?/span>	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二極管正向?qū)娏?/span>	0~1200A	≤200A時(shí),0.1A	≤200A時(shí),±1%±0.1A
3	IF	二極管正向?qū)娏?/span>	0~1200A	＞200A時(shí),1A	＞200A時(shí),±1%
4	Vces	集電極-發(fā)射極電壓	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	≤200A時(shí),0.1A	≤200A時(shí),±1%±0.1A
6	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	＞200A時(shí),1A	＞200A時(shí),±1%
7	Ices	集電極-發(fā)射極漏電流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	柵極-發(fā)射極閾值電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集電極-發(fā)射極飽和電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	柵極發(fā)射極電壓	0~40V	1mV	±1%,±1mV

華科智源MOS管測(cè)試儀針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)；自動(dòng)化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作），計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ)，測(cè)試方法靈活（可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試），安全穩(wěn)定（對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖），具有安全保護(hù)功能，測(cè)試速度方便快捷。