細胞：BCECs細胞
中文名稱：鼠腦微血管內(nèi)皮細胞
生長特性：貼壁細胞
培養(yǎng)基：DMEM-H +10%FBS(GIBCO胎牛血清)
凍存條件：50%基礎培養(yǎng)基、40% FBS、10% DMSO
細胞常規(guī)培養(yǎng)傳代流程( 請嚴格遵照無菌操作)
1. 吸出原培養(yǎng)瓶中的培養(yǎng)基，PBS 緩沖液潤洗細胞兩次，加 2-3 ml 0.25% yi酶進行消化細胞(注意把握消化時間，通?？刂圃?1-2min)
2. 鏡下觀察消化情況，在細胞邊緣縮小，貼壁松動時(不建議消化到細胞漂浮)去掉yi酶，加 6~8ml 培養(yǎng)基，輕輕吹打細胞層，盡量把細胞層吹落，吹散。
3. 取部分細胞懸液轉(zhuǎn)移到新的培養(yǎng)皿/瓶中，添加適當?shù)呐囵B(yǎng)基，把細胞懸液打勻，于培養(yǎng)箱中培養(yǎng)。
4. 注意培養(yǎng)基 PH 值變化情況，定期換液(每周 2-3 次)，待細胞密度達到 80%以后重復 1 項操作或凍存。
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在III-V族半導體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、高電子遷移率、最小有效質(zhì)量和最大g因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進行自旋電子學研究與拓撲量子計算等前沿物理探索的理想材料。(人Calu-6細胞 來源：通派細胞庫 人退行性肺癌細胞)
由于InSb具有晶格常數(shù)大以及固有的n型導電性特征，難以找到合適襯底外延生長，通常人們采用緩沖層技術(shù)。(人kyse30細胞 來源：通派細胞庫 人食管癌細胞)
然而，晶格失配引起的位錯缺陷會沿著緩沖層向上延伸，甚至延伸至緩沖層表面，使得緩沖層表面不能形成的晶格結(jié)構(gòu)，從而影響外延的InSb薄膜晶體質(zhì)量。半個多世紀以來，高質(zhì)量InSb材料制備一直是困擾研究人員們的難題。(人KYSE-510細胞 來源：通派細胞庫 人食管癌細胞)
利用分子束外延技術(shù)，在Si襯底上生長出高質(zhì)量純相InAs納米線，然后通過控制生長溫度和束流比，創(chuàng)造性地在一維InAs納米線上生長出了二維高質(zhì)量InSb納米片。(人kyse410細胞 來源：通派細胞庫 人食管癌細胞)
這種免緩沖層技術(shù)制備出來的立式InSb納米片為純閃鋅礦單晶，結(jié)構(gòu)中觀察不到層錯及孿晶等缺陷。(人BXPC-3-RFP細胞 來源：通派細胞庫 人原位胰腺癌細胞)
其長度和寬度達到微米量級(大于10微米)、厚度可薄至10納米。將這種高質(zhì)量的二維InSb納米片制成了場效應器件，器件具有明顯的雙極性特征，低溫下場效應遷移率近20000 cm2 V-1 s-1。
