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小型，臺(tái)式，板式電容PECVD

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

化學(xué)氣象沉積（chemical vapor deposition,簡(jiǎn)稱(chēng)CVD）是在一定的溫度條件下，混合氣體之間與基材表面相互作用，并且進(jìn)一步在基材表面形成金屬膜或者化合物薄膜，使材料表面改性，以達(dá)到耐磨，抗氧化、抗腐蝕性等性能，在電子，光學(xué)，摩擦力學(xué)，機(jī)械應(yīng)用方面有很多應(yīng)用。

詳細(xì)介紹

一、PECVD原理：
化學(xué)氣象沉積（chemical vapor deposition,簡(jiǎn)稱(chēng)CVD）是在一定的溫度條件下，混合氣體之間與基材表面相互作用，并且進(jìn)一步在基材表面形成金屬膜或者化合物薄膜，使材料表面改性，以達(dá)到耐磨，抗氧化、抗腐蝕性等性能，在電子，光學(xué)，摩擦力學(xué)，機(jī)械應(yīng)用方面有很多應(yīng)用。
等離子化學(xué)氣象沉積（plasma enhanced chemical vapor deposition,簡(jiǎn)稱(chēng)PECVD）也叫做等離子體輔助化學(xué)氣象沉積（簡(jiǎn)稱(chēng)PACVD）則是依靠等離子體中得電子的動(dòng)能去激活氣象得化學(xué)反應(yīng)，由于等離子體是離子、電子、中性原子和分子的集合體，因此大量的能量存在于等離子的內(nèi)能之中。PECVD是冷等離子體，是通過(guò)低壓氣體放電而形成的，一般是在幾帕到幾百帕的低氣壓下，通過(guò)射頻、中頻等放電所產(chǎn)生。

二、PECVD的特點(diǎn)：
與常規(guī)的熱CVD比較，PECVD具有更多的優(yōu)點(diǎn)
1、沉積溫度低：熱CVD的溫度一般高于600度，其應(yīng)用范圍非常有限，大部分只能用于實(shí)驗(yàn)功能，PECVD的沉積溫度可以降到200度以?xún)?nèi)，這是由于其內(nèi)能，也就是電子所具備的高能量所提供的。此優(yōu)點(diǎn)決定了其可以廣泛的應(yīng)用于各種金屬、半導(dǎo)體、電子等領(lǐng)域。
2、沉積速率及均勻性得到提高：PECVD在輝光放電中所用的壓力比較低，反應(yīng)物中分子、原子等離子粒團(tuán)與電子之間的碰撞、散射、電離等作用增強(qiáng)，膜層厚度的均勻性得到改善，針孔減少，組織致密，內(nèi)應(yīng)力少，不易產(chǎn)生微裂紋。
3、可以獲得性能*的膜層：PECVD的輝光放電處于非平衡狀態(tài)，及能量耗散狀態(tài)，其沉積產(chǎn)物呈多樣性，可以獲得熱分解所不能得到的物質(zhì)，zui典型的，熱分解甲烷得到石墨薄膜，PECVD則可以得到金剛石薄膜。

三、公司設(shè)備特點(diǎn)
1、設(shè)備整體尺寸：550mm*550mm*1200mm（寬*深*高）
2、真空室尺寸：直徑70*高度110mm
3、平行板電極尺寸：直徑60mm
4、電極調(diào)節(jié)：可調(diào)節(jié)
5、真空系統(tǒng)：機(jī)械泵
6、極限真空度：1*10-3mabr。
7、濺射電源：射頻電源5KW
8、工藝匹配：手動(dòng)匹配
9、氣體控制：質(zhì)量流量控制器 2路
10、真空檢測(cè)：電阻真空計(jì)
11、加熱系統(tǒng)：熱電阻加熱 1.2KW
12、控制方式：手動(dòng)控制系統(tǒng)

四、PECVD設(shè)備的應(yīng)用
1、沉積DLC膜層：用與機(jī)械、電子、醫(yī)療等領(lǐng)域
2、沉積氮化硅：半導(dǎo)體行業(yè)、微電子行業(yè)
3、沉積TIN膜層：以及TIC等硬質(zhì)膜層，比離子鍍更光亮，更美觀
4、*管：CNTs是PECVD技術(shù)的一個(gè)新的應(yīng)用
5、太陽(yáng)能薄膜電池：非晶硅太陽(yáng)能電池的制備