柔性GaAs半導(dǎo)體的制備方法
雖然像砷化鎵這樣的化合物半導(dǎo)體在光伏電池和光電應(yīng)用中與硅相比有很大的性能優(yōu)勢(shì),但這些優(yōu)勢(shì)并不能超過(guò)生成這些材料的大型高質(zhì)量層狀結(jié)構(gòu)、并將它們轉(zhuǎn)移到柔性或透明基質(zhì)上、用在如太陽(yáng)能電池、夜視照相機(jī)和無(wú)線通信系統(tǒng)等設(shè)備中所涉及的高成本過(guò)程(所體現(xiàn)出的劣勢(shì))。
然而現(xiàn)在,John Rogers及其團(tuán)隊(duì)演示了一個(gè)新的制造方法,它能克服這一缺點(diǎn)。他們是在一個(gè)單一沉降序列中、在厚的、多層組合體中來(lái)生長(zhǎng)GaAs和AlGaAs薄膜的,然后將各層薄膜釋放,通過(guò)印刷方式使其分布在異質(zhì)基質(zhì)上。.
這一策略對(duì)于大面積應(yīng)用的技術(shù)潛力,通過(guò)如以玻璃為基質(zhì)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管和以塑料為基質(zhì)的光伏電池模塊等GaAs裝置的制造得到了演示。