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深圳海納光學(xué)有限公司

主營產(chǎn)品： 激光護(hù)目鏡，可飽和吸收鏡，衍射光學(xué)元件，光束整形器，太赫茲透鏡，太陽能模擬器，太赫茲相機(jī)，激光測量儀，離軸拋物面鏡，微透鏡陣列

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深圳海納光學(xué)有限公司

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BSO晶體光折變晶體 BSO，F(xiàn)e:LiNbO3，SBN，BGO晶體壓電晶體

參考價(jià)	￥ 5000
訂貨量	1個(gè)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

型號(hào) BSO晶體
品牌
廠商性質(zhì) 代理商
所在地 深圳市

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聯(lián)系方式：劉先生查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2023-01-01 09:05:56瀏覽次數(shù)：2122

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【簡單介紹】

加工定制	否

光折變晶體 BSO，F(xiàn)e:LiNbO3，SBN，BGO晶體，它們主要用于開發(fā)光折變效應(yīng)的應(yīng)用。硅酸鉍（Bi）12SiO20，bso）晶體是一種高效率的光導(dǎo)材料，暗導(dǎo)率低，允許大量的光誘導(dǎo)空間電荷的積累。鈮酸鋰（LiNbO）3摻雜鐵（Fe：LiNbO）的LN晶體3）具有高的光折變靈敏度、高的電光系數(shù)和衍射效率、化學(xué)力學(xué)性能，是一種很有吸引力的光折變材料。

Optogama提供4Lasers品牌的光折變晶體 BSO，F(xiàn)e:LiNbO3，SBN，BGO晶體主要用于開發(fā)光折變效應(yīng)的應(yīng)用。光折變效應(yīng)是一種通過光強(qiáng)的空間變化來改變局部折射率的現(xiàn)象。在光折變材料中，當(dāng)相干光相互干擾時(shí)觀察到，光折變材料形成了空間變化的照明模式。這種效果可以用來存儲(chǔ)臨時(shí)的、可擦除的全息圖，也稱為全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。它也可以用來制造相位共軛鏡或光學(xué)空間孤子。

硅酸鉍(Bi)12SiO20，bso)晶體是一種高效率的光導(dǎo)材料，暗導(dǎo)率低，允許大量的光誘導(dǎo)空間電荷的積累。巨大的光電導(dǎo)性和電光特性提高了BSO晶體的應(yīng)用范圍：空間光調(diào)制器、光開關(guān)、相位共軛混合器。Optogama用改進(jìn)的Czochralski法生長了BSO晶體，其孔徑可達(dá)3英寸。

鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(Fe：LiNbO)的LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數(shù)和衍射效率、化學(xué)力學(xué)性能，是一種很有吸引力的光折變材料。Fe：LiNbO3晶體采用Czochralsky法生長，尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調(diào)整特定應(yīng)用的材料性能。更重要的是，F(xiàn)e：Linbo3晶體操作方便，成本低，適合批量生產(chǎn)。

SBN晶體晶體具有優(yōu)良的光學(xué)和光折變性能。它們表面上是純的，被Ce，Cr，Co或Fe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體，采用改進(jìn)的Stepanov法生長，線性尺寸可達(dá)40 mm。

鍺酸鉍（Bi12GeO20，BGO）晶體是具有低暗電導(dǎo)率的高效光電導(dǎo)體，可以積累大量光致空間電荷。

光折變晶體 BSO，F(xiàn)e:LiNbO3，SBN，BGO晶體

硅酸鉍晶體主要特點(diǎn)：

-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據(jù)要求定制

BSO晶體主要應(yīng)用：

-空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-相位共軛混合器。

BSO晶體的技術(shù)特性：

化學(xué)公式	Bi₁₂SiO₂₀
晶體結(jié)構(gòu)	立方體，點(diǎn)編組23
晶格參數(shù)	10.10 a
密度	9.2克/cm3
Mohs硬度	5
透明度范圍	0.45-6μm
折射率	2.5
光學(xué)活性	42deg/mm
電光系數(shù)	r41 = 5 pm/V
介電常數(shù)(低頻)	56
暗電阻	10¹⁴ Ohm cm

BSO晶體的產(chǎn)品規(guī)格：

透明孔徑	85 %
面尺寸公差	+0/-0.2毫米
厚度公差	±0.2毫米
平行度誤差	<30 arcsec
保護(hù)槽	<0.3 mm at 45°
表面質(zhì)量	40-20 S-D
波前畸變	<λ/4@6328 nm
涂層	無涂層

硅酸鉍晶體產(chǎn)品型號(hào)

SKU	面尺寸	厚度	定向	價(jià)格（RMB）
1558	30×30毫米	1.0毫米	[110]	5500
6880	20x20毫米	1.0毫米	[110]	4500
6881	20x20毫米	1.0毫米	[100]	4500
6882	10x10毫米	5毫米	[110]	6500
6883	10x10毫米	5毫米	[100]	6500
6884	5x5毫米	5毫米	[110]	4800
6885	5x5毫米	5毫米	[100]	4900
9095	30×30毫米	1.5毫米	[110]	5600

鈮酸鋰晶體主要特點(diǎn)：

-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據(jù)要求定制

LiNbO3晶體的主要應(yīng)用：

-空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-全息記錄

-光波導(dǎo)

LiNbO3晶體技術(shù)特性：

化學(xué)公式	Fe：LiNbO3
晶體結(jié)構(gòu)	三角形，3m
密度	4.64克/cm3
Mohs硬度	5
透明度范圍	0.35-5.5μm
折射率@0，63μm	ne = 2.20, no = 2,29
電光系數(shù)	r₂₂= 6,8 pm/V,r₃₁= 10 pm/V,r₃₃= 32 pm/V
介電常數(shù)	e11 = 85,e33 = 30

鈮酸鋰晶體產(chǎn)品規(guī)格：

Fe2O3	0.1 mol. %，0.05 mol. %，0.03 mol. %，0.02 mol. %
定向	90°切割(X-切割，Y-切割)
透明孔徑	85 %
面尺寸公差	+0/-0.2毫米
厚度公差	±0.2毫米
平行度誤差	<3 arcmin
保護(hù)槽	<0.3 mm at 45°
表面質(zhì)量	20-10 S-D
波前畸變	<λ/4@6328 nm
涂層	無，可根據(jù)要求提供抗反射或銦錫氧化物涂層
電極	無，可根據(jù)要求提供

鈮酸鋰晶體產(chǎn)品型號(hào)：

SKU	面尺寸	長度	摻雜水平	價(jià)格（RMB）
4052	10x10毫米	5毫米	0，05%Fe2O3	請(qǐng)求
6457	10x10毫米	5毫米	0，02%Fe2O3	請(qǐng)求
6458	10x10毫米	5毫米	0，03%Fe2O3	請(qǐng)求
7005	10x10毫米	5毫米	0，1%Fe2O3	請(qǐng)求
7006	10x10毫米	1毫米	0，02%Fe2O3	4000
7007	10x10毫米	1毫米	0，03%Fe2O3	4000
7008	10x10毫米	1毫米	0，05%Fe2O3	4000
7009	10x10毫米	1毫米	0，1%Fe2O3	4000
7010	20x20毫米	1毫米	0，02%Fe2O3	請(qǐng)求
7011	20x20毫米	1毫米	0，03%Fe2O3	請(qǐng)求
7012	20x20毫米	1毫米	0，05%Fe2O3	請(qǐng)求
7013	20x20毫米	1毫米	0，1%Fe2O3	請(qǐng)求

SBN晶體的主要特點(diǎn)：

-Ce，Cr，Co，F(xiàn)e純摻雜

-有效相位共軛

-定制尺寸，摻雜水平，無極化，減反射涂層和沒有電極晶體可根據(jù)要求

SBN晶體的主要應(yīng)用：

-光學(xué)信息記錄

-熱釋電探測器

-自泵浦自共軛鏡

-光學(xué)相關(guān)器

SBN晶體的技術(shù)特性：

構(gòu)圖	SBN：61	SBN：75
晶體結(jié)構(gòu)	四邊形，4毫米	四邊形，4毫米
晶格參數(shù)	a = 12,46 Å, c = 3,946 Å	a = 12,43024 Å, c = 3,91341 Å
密度	5,4 g/cm3	5,4 g/cm3
Mohs硬度	5.5	5.5
熔化溫度	1480°C	1480°C
居里溫度	75°C	56℃
透光度范圍	0.45-5.5μm	0.4-5.5μm
折射率@633 nm	no = 2.3103,ne = 2.2817	no = 2.3117,ne = 2.2987
Δn@633 nm	-0.0286	-0.0130
傳動(dòng)	0.45-5.5μm	0.4-5.5μm
半波電壓(λ/2)	240 V	60V
介電常數(shù)(T=293 K)	900	340
電光系數(shù)	R13=45 pm/V,R33=250 pm/V	R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V
熱釋電系數(shù)	0.065μC×cm-2×K-1	0.28μC×cm-2×K-1
介電常數(shù)	880	3400

SBN晶體的產(chǎn)品規(guī)格：

定向	沿四方軸的短邊
波林	極化
電極	碳水電極
透明孔徑	85%
面尺寸公差	+0/-0.2毫米
厚度公差	±0.2毫米
平行度誤差	<30 arcsec
保護(hù)槽	<0.1 mm at 45°
表面質(zhì)量	20-10 S-D通過透明光圈，60-40 S-D其他表面
表面平整度	<λ/4@6328 nm
涂層	無涂層

SBN晶體的產(chǎn)品型號(hào)：

SKU	材料	面尺寸	長度	摻雜	價(jià)格(RMB)
6940	SBN：61	5x5毫米	5毫米	CeO 2 0，002 wt，%	15000
6941	SBN：61	5x5毫米	10毫米	CeO 2 0，002 wt，%	18500
6942	SBN：61	5x5毫米	15毫米	CeO 2 0，002 wt，%	24000
6943	SBN：61	5x5毫米	20毫米	CeO 2 0，002 wt，%	30000
6944	SBN：61	5x5毫米	5毫米	CeO 2 0，01 wt，%	15000
6945	SBN：61	5x5毫米	10毫米	CeO 2 0，01 wt，%	18800
6946	SBN：61	5x5毫米	15毫米	CeO 2 0，01 wt，%	22000
6947	SBN：61	5x5毫米	20毫米	CeO 2 0，01 wt，%	30000
6948	SBN：61	5x5毫米	5毫米	CeO 2 0，1 wt，%	15000
6949	SBN：61	5x5毫米	10毫米	CeO 2 0，1 wt，%	18500
6950	SBN：61	5x5毫米	15毫米	CeO 2 0，1 wt，%	24000
6951	SBN：61	5x5毫米	20毫米	CeO 2 0，1 wt，%	30000
73	SBN：61	5x5毫米	5毫米	未摻雜	15000
74	SBN：61	5x5毫米	10毫米	未摻雜	18500
75	SBN：61	5x5毫米	15毫米	未摻雜	24000
76	SBN：61	5x5毫米	20毫米	未摻雜	30000

BGO晶體的主要特點(diǎn)：

-高電光系數(shù)(r41=3，5 pm/v)

-低暗電導(dǎo)

-大尺寸元件或晶片可達(dá)3“

-可根據(jù)要求定制

BGO晶體的主要應(yīng)用：

-空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-光學(xué)相關(guān)器

BGO晶體的技術(shù)特性：

化學(xué)公式	Bi₁₂GeO₂₀
晶體結(jié)構(gòu)	立方體，點(diǎn)編組23
晶格參數(shù)	10.15 a
密度	9.2克/cm3
傳輸范圍	0.45-7米
折射率@0.63m	2,55
光學(xué)活性@500 nm	41.5度/毫米
電光系數(shù)r41	3.5 pm/V
介電常數(shù)	40
暗電阻	1014 Ohm cm

BGO晶體的產(chǎn)品規(guī)格：

透明孔徑	85%
面尺寸公差	+0/-0.2毫米
厚度公差	±0.2毫米
平行度誤差	<30 arcsec
保護(hù)槽	<0.3 mm at 45°
表面質(zhì)量	40-20 S-D
波前畸變	<λ/4@6328 nm
涂層	無涂層

BGO晶體的產(chǎn)品型號(hào)：

SKU	面尺寸	長度	定向	價(jià)格(RMB)
6868	5x5毫米	5毫米	[110]	5600
6871	5x5毫米	5毫米	[100]	5600
6872	10x10毫米	5毫米	[110]	8500
6873	10x10毫米	5毫米	[100]	8500
6874	20x20毫米	1毫米	[110]	5000
6875	20x20毫米	1毫米	[100]	5000
6876	30×30毫米	1毫米	[110]，邊與<001>平面±2deg平行	6000
6877	30×30毫米	1，5毫米	[110]	6000