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電容電壓特性測試儀報價電容電壓特性測試儀報價型號:THZ24-CV-5000庫號：M408361 

MOS（金屬－氧化物－半導體）結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C－V特性）。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有關(guān)系。 利用實際測量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)。另外作為組成半導體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。CV-5000型電容電壓特性測試儀是測試頻率為1MHz的數(shù)字的電容測試儀器，既可用于測試半導體器件PN結(jié)的勢壘電容在不同偏壓下的電容量，也可進行Mos電容的外加電壓掃描測試，還可測試其它MIS電容。

該電容電壓特性測試系統(tǒng)由主機和上位機（PC）組成，并在軟件控制下完成校準及測試等功能，同時顯示C-V電容電壓特性曲線。主機面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài)，用數(shù)碼管組成的顯示板，將被測元件的數(shù)值，小數(shù)點清晰地顯示出來。儀器有分辨率，電容量是五位讀數(shù)，可分辮到0.001pF，偏置電壓分辨力為0.1V，漏電流分辨力為0.01uA。

儀器配有CV-5000型測量座，接插元件方便。

本儀器測量操作簡便。可應(yīng)用于元件廠，科研部門，，高等院校等各個部門。

CV-5000型電容電壓特性測試系統(tǒng)是一個運行在計算機上擁有測試界面的用戶程序，程序操作易用。測試程序在計算機與CV-5000型電容電壓特性測試測試儀連接的狀態(tài)下，通過計算機的USB口實現(xiàn)通訊。

測試程序控制電容電壓特性測試測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在計算機中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)分析。

技　術(shù)　指　標 ：

測試信號頻率  1.000MHz±0.01%；

測試信號電壓 小于或等于100mVrms；

電容測量范圍 1.000pF～5000.0pF；

工作誤差 ±3.0%±2字；

直流偏壓 -35V～+35V（可擴展），由軟件按設(shè)定步進電壓值輸出偏置電壓；

軟件功能 由軟件控制電壓的掃描輸出，讀取不同電壓點的電容值并在電腦中繪出電容-電壓的變化曲線；軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數(shù)據(jù)，也可把測試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析。

電腦通訊接口 USB通訊接口；

應(yīng)用 應(yīng)用于MOS摻雜和PN結(jié)摻雜的C-V特性測量，也可測試其它MIS電容等。MOS（金屬－氧化物－半導體）結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C－V特性）。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關(guān)系。 利用實際測量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)

附送實驗樣品 P型MOS實驗樣品、N型MOS實驗樣品、PN摻雜實驗樣品

供電電源 交流電壓：220V±5%；

頻率： 50Hz±5%；

消耗功率：不大于40W；

工作環(huán)境 溫度：0—40℃；

濕度：20%~90%RH 40℃