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北京時代山峰科技有限公司

超聲波探頭——簡介

時間:2009-4-27閱讀:3522
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超聲波探頭
  一.以構(gòu)造分類
  1.直探頭: 單晶縱波直探頭 雙晶縱波直探頭
  2.斜探頭: 單晶橫波斜探頭a1  單晶縱波斜探頭 aL  aL在a1附近為爬波探頭
  爬波探頭;沿工件表面?zhèn)鬏數(shù)目v波,速度快、能量大、波長長探測深度較表面波深,對工件表面光潔度要求較表面波松。(頻率2.5MHZ波長約2.4mm,講義附件11、12、17題部分答案)。
  3.帶曲率探頭: 周向曲率 徑向曲率。
  周向曲率探頭適合---無縫鋼管、直縫焊管、筒型鍛件、軸類工件等軸向缺陷的檢測。工件直徑小于2000mm時為保證耦合良好探頭都需磨周向曲率。
  徑向曲率探頭適合---無縫鋼管、鋼管對接焊縫、筒型鍛件、軸類工件等徑向缺陷的檢測。工件直徑小于600mm時為保證耦合良好探頭都需磨徑向曲率。
  4.聚焦探頭: 點聚焦 線聚焦。
  5.表面波探頭:(當縱波入射角大于或等于第二臨界角,既橫波折射角度等于90形成表面波).
  沿工件表面?zhèn)鬏數(shù)臋M波,速度慢、能量低、波長短探測深度較爬波淺,對工件表面光潔度要求較爬波嚴格。
  *章“波的類型”中學到:表面波探傷只能發(fā)現(xiàn)距工件表面兩倍波長深度內(nèi)的缺陷。(頻率2.5MHZ波長約1.3mm,講義附件11、12題部分答案)。
  二.以壓電晶體分類:
  三.壓電材料的主要性能參數(shù):
  1.壓電應(yīng)變常數(shù)d33:
  d33=Dt/U在壓電晶片上加U這么大的應(yīng)力,壓電晶片在厚度上發(fā)生了Dt的變化量,d33越大,發(fā)射靈敏度越高。
  2.壓電電壓常數(shù)g33:
  g33=UP/P在壓電晶片上加P這么大的應(yīng)力.在壓電晶片上產(chǎn)生UP這么大的電壓,g33越大,接收靈敏度越高。
  3.介電常數(shù)e:
  e=Ct/A[C-電容、t-極板距離(晶片厚度)、A-極板面積(晶片面積)];
  C小→e小→充、放電時間短.頻率高。
  4.機電偶合系數(shù)K:
  表示壓電材料機械能(聲能)與電能之間的轉(zhuǎn)換效率。
 
 對于正壓電效應(yīng):K=轉(zhuǎn)換的電能/輸入的機械能。
 
  對于逆壓電效應(yīng):K=轉(zhuǎn)換的機械能/輸入的電能.
 
  晶片振動時,厚度和徑向兩個方向同時伸縮變形,厚度方向變形大,探測靈敏度高,徑向方向變形大,雜波多,分辨力降低,盲區(qū)增大,發(fā)射脈沖變寬.(講義附件1619題部分答案)。
 
  聲 : 3240 M/S 工件厚度: 16.00MM 探頭頻率: 2.500MC
 
  探頭K: 1.96 探頭前沿: 7.00MM 坡口類型: X
 
  坡口角度: 60.00 對焊寬度: 2.00MM : -02 dB
 
 判 : +05dB : -03dB : -09 dB
 
 焊口編號: 0000 缺陷編號: 1. 檢測日期: 05.03.09
 
 聲 : 3240 M/S 工件厚度: 16.00 MM 探頭頻率: 5.00 MC
  
探頭K: 1.95 探頭前沿: 7.00 MM 坡口類型: X
 
 坡口角度: 60.00 對焊寬度: 2.00 MM : -02 dB
 
 判 : +05 dB : -03 dB : -09 dB
 
 焊口編號: 0000 缺陷編號: 1. 檢測日期: 05.03.09
 
  5.機械品質(zhì)因子qm:
 
  qm=E/E,壓電晶片諧振時,貯存的機械能與在一個周期內(nèi)(變形、恢復(fù))損耗的能量之比稱……損耗主要是分子內(nèi)摩擦引起的。
 
  qm,損耗小,振動時間長,脈沖寬度大,分辨力低。
 
 qm,損耗大,振動時間短,脈沖寬度小,分辨力高。
 
 6.頻率常數(shù)Nt:
 
 Nt=tf0,壓電晶片的厚度與固有頻率的乘積是一個常數(shù),晶片材料一定,厚度越小,頻率越高. (講義附件16、19題部分答案)。
 
  7.居里溫度Tc:
 
 壓電材料的壓電效應(yīng),只能在一定的溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生,超過一定的溫度,壓電效應(yīng)就會消失,使壓電效應(yīng)消失的溫度稱居里溫度(主要是高溫影響)。
 
 8.超聲波探頭的另一項重要指標:信噪比---有用信號與無用信號之比必須大于18 dB。(為什么?)
 
  四.探頭型號(應(yīng)注意的問題)
 
 1.橫波探頭只報K值不報頻率和晶片尺寸。
 
 2.雙晶探頭只報頻率和晶片尺寸不報F(菱形區(qū)對角線交點深度)值。
 
  例:用雙晶直探頭檢12mm厚的板材,翼板厚度12mmT型角焊縫,怎樣選F值?
 
  講義附件(2題答案)。
 
 五.應(yīng)用舉例:
 
  1.斜探頭近場N=a´b´COSb/plCOSa。 λ =CS/¦.
 
 直探頭近場N=D/4l λ=CL/¦.
 
  2.橫波探傷時聲束應(yīng)用范圍:1.64N-3N。
 
  縱波探傷時聲束應(yīng)用范圍:³3N。
 
 雙晶直探頭探傷時,被檢工件厚度應(yīng)在F菱形區(qū)內(nèi)。
 
 3.K值的確定應(yīng)能保證一次聲程的終點越過焊縫中心線,與焊縫中心
 
 線的交點到被檢工件內(nèi)表面的距離應(yīng)為被檢工件厚度的三分之一。
 
  4.檢測16mm厚的工件用5P 9×9 K2、2.5P9X9K2、2.5P13X13K2那一種探頭合適(聚峰斜楔).5P9X9K2探頭為例。
 
 ?。?/span>1.判斷一次聲程的終點能否越過焊縫中心線?
 
 (焊縫余高全寬+前沿)/工件厚度
 
?。?/span>2.利用公式:
 
 N?(工件內(nèi)剩余近場長度)=N(探頭形成的近場長度)—N?(探頭內(nèi)部占有的近場長度) =axbxcosβ/πxλxcosα–Ltgα/tgβ,計算被檢工件內(nèi)部占有的近場長度。講義附件(14題答案)。

A 查教材54頁表:
 
  

A 查教材54頁表:
 
  

材料

 

  

K

 

  

1.0

 

  

1.5

 

  

2.0

 

  

2.5

 

  

3

 

  

有機玻璃

 

  

COSb/ COSa

 

  

0.88

 

  

0.78

 

  

0.68

 

  

0.6

 

  

0.52

 

  

聚砜

 

  

COSb/ COSa

 

  

0.83

 

  

0.704

 

  

0.6

 

  

0.51

 

  

0.44

 

  

有機玻璃

 

  

tga /tgb

 

  

0.75

 

  

0.66

 

  

0.58

 

  

0.5

 

  

0.44

 

  

聚砜

 

  

tga /tgb

 

  

0.62

 

  

0.52

 

  

0.44

 

  

0.38

 

  

0.33

 

  

COSb/COSatga/tgbK值的關(guān)系
 
  查表可知cosβ/cosα=0.6, tgα/tgβ=0.44, 計算可知α=41.35°.
 
 B λ=Cs/?=3.24/5=0.65mm
 
 C
 
參考圖計算可知:
 
 tgα=L1/4.5, L1=tg41.35°X4.5=0.88X4.5=3.96mm.
 
 cosα=2.5/L2, L2=2.5/cos41.5°=2.5/0.751=3.33mm,
 
  L=L1+L2=7.3mm, Ltgα/tgβ=7.3×0.44=3.21mm,N?
 
  由(1)可知,IS=35.8mm, 2S=71.6mm
 
  N=axbxcosβ/pxλxcosa=9×9×0.6/3.14×0.65=23.81mm,
 
  1.64N=39.1mm, 3N=71.43mm.
 
 工件內(nèi)部剩余的近場(N?=N-N?=20.6mm(此范圍以內(nèi)均屬近場探傷).
 
 (1.64N-N?)與IS比較, 3N-N?)與2S比較,
 
 使用2.5P13X13K2探頭檢測16mm厚工件,1.64N3N5P9X9K2探頭基本相同,但使用中仍存在問題,2.5P9X9K2探頭存在什么問題?
 .探傷過程中存在的典型問題:

1.縱波與橫波探頭概念不清.

2.盲目追求短前沿:
 
 以2.5P 13´13 K2探頭為例,b=15mmb=11mm,斜楔為有機玻璃材料;
 
 ?。?/span>1.檢測20mm,X口對接焊縫,缺陷為焊縫層間未焊透.
 
  (2.信噪比的關(guān)系:有用波與雜波幅度之比必須大于18dB.
 
 ?。?/span>3.為什么一次標記點與二次標記點之間有固定波?
 
  由54頁表可知:COSb/COSa=0.68,K2探頭b=63.44°,
 
 COS63.44°=0.447,COSa=0.447/0.68=0.66,
 
  COSa=6.5/LX,前沿LX=6.5/0.66=9.85mm。(講義附件6題答案)。
 
 3.如何正確選擇雙晶直探頭:
 
 ?。?/span>1.構(gòu)造、聲場形狀、菱形區(qū)的選擇;
 
  (2.用途:為避開近場區(qū),主要檢測薄板工件中面積形缺陷.
 ?。?/span>3.發(fā)射晶片聯(lián)接儀器R,接收晶片聯(lián)接T口(匹配線圈的作用).

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