日本研發(fā)成功下一代超薄型高溫超導電纜

　日本理化學研究所和千葉大學組成的聯合研發(fā)小組開發(fā)成功絕緣部厚度是目*分之一的下一代超薄高溫超導電纜。

　　目前，高溫超導電纜通常呈寬4毫米到5毫米、厚100微米到150微米的薄帶狀。其中絕緣部分厚度和導電線厚度基本相同，各為50微米左右。較厚的絕緣層對電流密度有一定影響，也使超導線圈體積難以進一步小型化。

　　聯合小組采用與金屬電鍍相同的聚酰亞胺電沉積法，在導電線的表面形成極薄的聚酰亞胺絕緣體皮膜。絕緣體的厚度僅為4微米，是目前高溫超導電纜絕緣部厚度的十分之一。經測試，斷面絕緣比例達到10%以下，較現有高溫超導電纜減少80%以上;制成的超導線圈電流密度增加2倍以上，體積可減小4/5左右。制作工序也較目前采取的聚合體絕緣帶包卷方式更加簡化?？梢罁枰谱餍⌒统瑢Ь€圈以及數公里長的高溫超導電纜。

　　該方法使核磁共振（NMR）和磁共振成像（MRI）等裝置的小型化和低成本制造成為可能。有關研究成果將發(fā)表在物理學《Physica C》雜志電子版。