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技術(shù)文章

新型微差壓變送器特點(diǎn)

閱讀：424發(fā)布時(shí)間：2014-2-20

　　隨著科技的發(fā)展，越發(fā)需要高精度計(jì)量微壓。為此，多方在作研究開發(fā)，不同程度地初步取得一些進(jìn)展。
　　
　　下面?zhèn)戎亟榻B以長期積累的半導(dǎo)體壓力傳感器技術(shù)為基礎(chǔ)，并利用硅單晶擴(kuò)散技術(shù)和硅微加工技術(shù)，先行開發(fā)出0～98Pa、0—588．4Pa(0—10～0—60mmH：0)的半導(dǎo)體低壓傳感器，進(jìn)而采用此種半導(dǎo)體低壓傳感器，開發(fā)研制出一種新型微差壓變送器。從而實(shí)現(xiàn)了高精度檢測微壓的愿望。
　　
　　新型微差壓變送器的結(jié)構(gòu)不同一般，其主要特點(diǎn)就是采用了半導(dǎo)體微壓傳感器。
　　
　　1．半導(dǎo)體微壓傳感器
　　
　　用硅膜片式壓力傳感器檢測低壓時(shí)，為了獲得較大的輸出，硅膜片的厚度勢必要做得很薄。然而，膜片過薄，就會(huì)產(chǎn)生所謂氣球效應(yīng)的大撓曲現(xiàn)象，要獲得與壓力成正比的輸出便是個(gè)難題。為了解決這個(gè)難題而開發(fā)研制出一種硅膜片中心帶剛體的E型半導(dǎo)體壓力傳感器，可高精度檢測0～588．9Pa的低壓。
　　
　　近期又有新進(jìn)展，開發(fā)研制出一種可檢測0～98Pa、0～588．4Pa的半導(dǎo)體微壓傳感器。為通常使用的c型傳感器、中心帶剛體的E型傳感器及新近開發(fā)研制的EI型傳感器的構(gòu)造。這3種形式都是采用擴(kuò)散法在n型硅基片的表面形成P型應(yīng)變電阻。
　　
　　E型傳感器采用環(huán)狀元件，以減小施加壓力時(shí)產(chǎn)生的撓曲，并可提高低壓檢測精度，而Ⅱ型傳感器則由兩根應(yīng)變桿和極薄的膜片構(gòu)成。因此，外加壓力主要是用來使應(yīng)變桿彎曲，應(yīng)變桿能感應(yīng)微小的壓力。并且，將應(yīng)變電阻形成在與E型傳感器的彈性元件具有相同粗度的應(yīng)變桿上，可以獲得線性輸入一輸出特性。這種場合，采用細(xì)應(yīng)變桿和薄膜片，對(duì)提高特性較為有利。

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