BW-IFSM/ITSM浪涌電流測(cè)試儀

 BW-IFSM/ITSM（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）可加熱

是SIC相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備

測(cè)試原理：

• 模擬浪涌電流產(chǎn)生：通常利用專門的電路或裝置來模擬電力系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的浪涌電流情況。如基于LC振蕩電路原理，通過電容的快速放電和電感的儲(chǔ)能、釋能過程，產(chǎn)生具有特定波形和幅值的浪涌電流。一些系統(tǒng)還會(huì)采用晶閘管等功率器件來控制放電過程，精確調(diào)整浪涌電流的參數(shù)。

• 響應(yīng)檢測(cè)與分析：被測(cè)設(shè)備在承受浪涌電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的電氣響應(yīng)，如電壓波動(dòng)、電流變化、設(shè)備工作狀態(tài)改變等。測(cè)試系統(tǒng)通過電壓傳感器、數(shù)據(jù)采集設(shè)備等記錄這些響應(yīng)，然后利用數(shù)據(jù)分析軟件對(duì)采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理和分析，判斷被測(cè)設(shè)備對(duì)浪涌電流的耐受能力、響應(yīng)特性等。

• 

測(cè)試意義：

• 評(píng)估設(shè)備可靠性：能檢驗(yàn)設(shè)備在浪涌電流沖擊下是否會(huì)出現(xiàn)故障、損壞等問題，確保其在惡劣電力環(huán)境下也能穩(wěn)定工作，為設(shè)備的質(zhì)量和可靠性提供重要依據(jù)。比如在電力系統(tǒng)中，通過浪涌電流測(cè)試可保證變壓器、開關(guān)等設(shè)備在雷擊等浪涌情況下的安全運(yùn)行。

• 具有如下特點(diǎn)：

1）該系統(tǒng)的測(cè)試控制采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

2）該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

3）該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成：

a、浪涌測(cè)試單元

b、阻斷測(cè)試單元

C、自動(dòng)加熱控溫系統(tǒng)

d、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，參數(shù)設(shè)定，測(cè)試數(shù)據(jù)記錄，波形保存均有計(jì)算機(jī)完成，一鍵測(cè)試，

4）參考的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：JBT-7624-2013《整流二極管測(cè)試方法》GB/T 4023-2015/IEC 60747-2:200

一、技術(shù)條件

1、浪涌測(cè)試單元IFSM

正弦半波浪涌電流范圍：短路電流50～3000A，分辨率1A,精度＜2%±1，
低檔范圍：50～200A，計(jì)算機(jī)設(shè)定 高檔范圍：100～3000A 計(jì)算機(jī)設(shè)定
b.浪涌電流底寬：0.1ms、1ms、8.3ms、 10ms正弦半波，偏差小于±3%，單選。
c.浪涌電流重復(fù)測(cè)試間隔（可設(shè)定）：2S～300S。

e.浪涌電流下的壓降測(cè)試：壓降測(cè)試范圍0.01-50V，分辨率0.001V,精度＜2%±0.01

f.正向浪涌波形和導(dǎo)通壓降波形可自動(dòng)顯示并保存在電腦中。同時(shí)可保存波形的數(shù)據(jù)。

g、方波浪涌：電流寬度100-5000us,可任意調(diào)整參數(shù)寬度

h、方波電流范圍：寬度：方波100-1000us:對(duì)應(yīng)電流MAX50-1000A

方波5-10mS：對(duì)應(yīng)電流MAX50-500A

方波0.1-1mS：對(duì)應(yīng)電流MAX50-1000A

浪涌電流輸出方式：?jiǎn)未?、重?fù)（電流不變，重復(fù)測(cè)試）、遞增（測(cè)試電流按設(shè)定步進(jìn)自動(dòng)增加，到目標(biāo)或失效停止）

加熱自動(dòng)控溫系統(tǒng)，含兩套，模塊為底板加熱控溫，分立器件為手動(dòng)小型加熱控溫?？販胤秶?5-180℃，控溫誤差小于2%，設(shè)定溫度手動(dòng)設(shè)定。

2、阻斷測(cè)試(用于判斷浪涌電流后器件是否失效)

a.正反向電壓測(cè)試范圍：50V～500V可調(diào) ，分辨率1V,精度＜2%±1。
設(shè)定漏電流上限保護(hù)，再測(cè)試電壓；如測(cè)試漏電流大于設(shè)定值停止加高壓。判斷為導(dǎo)通失效。
b.反向電壓輸出方式：DC直流，正反向輸c.漏電流：0.001～10mA，分辨率0.001mA,精度滿量程的±5%
e.測(cè)試過程：計(jì)算機(jī)設(shè)定，過程一鍵自動(dòng)測(cè)試；自動(dòng)完成判斷是否浪涌失效，并自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù)
g,適合封裝：各類二極管，MOS、IGBT等，封裝為TO直插或模塊等，兩種接口：1000A以下的直插接口，及模塊接口（機(jī)柜側(cè)面），所有接口均手動(dòng)接入器件。

3、MOS器件正向?qū)?、反向（體二極管）測(cè)試

正向?qū)y(cè)試：柵極電壓：5-25V可設(shè)定， 判斷阻斷電壓給正向電壓反向?qū)y(cè)試：柵極電壓：-10-0V可設(shè)定，判斷阻斷電壓給反向電壓。
參數(shù)設(shè)定主要是設(shè)定圖11所示的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，包括反向保護(hù)電壓、保護(hù)電流（設(shè)定漏電流上限）、脈沖間隔時(shí)間（重復(fù)測(cè)試時(shí)間）、脈沖次數(shù)（重復(fù)次數(shù)）等。設(shè)定時(shí)需注意，有關(guān)參數(shù)不能超過系統(tǒng)設(shè)定范圍，比如脈沖次數(shù)為1-20次，如輸入30，則系統(tǒng)默認(rèn)為20。
電流寬度：選10uS或10mS
電流方式：方波或正弦波
電流換擋：低檔（50-200A）,高擋（100-3000A），方波50-1000A
浪涌電流模式：?jiǎn)未巍⒅貜?fù)或遞增
遞增測(cè)試：設(shè)定高檔電流，再設(shè)起始電流，遞進(jìn)電流時(shí)增加量遞增電流
如：高檔電流設(shè)定100A,起始電流70A，遞增5A,點(diǎn)擊運(yùn)行，測(cè)試最終停止與100A
脈沖次數(shù)即重復(fù)次數(shù)

其他二極管浪涌測(cè)試：

可用于各類二管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗(yàn)，包括三管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二管的浪涌測(cè)試。二管元件在實(shí)際使用中，除了能長(zhǎng)期通過額定通態(tài)平均電流外，還應(yīng)能承受一定倍數(shù)的浪涌過載電流而不致?lián)p壞，以便適應(yīng)在各種應(yīng)用中的要求。二管浪涌過載電流如果超過其允許范圍，輕者引起元件性能變壞（如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化）。

技術(shù)指標(biāo)：

浪涌電流（IFSM/ITSM）調(diào)節(jié)范圍：0.30～3.60kA

分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA

電流波形：正弦半波，底寬10ms

測(cè)試頻率：?jiǎn)未?/p>

反向電壓（VRRM）調(diào)節(jié)范圍：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％

反向電壓測(cè)試頻率：50Hz；

反漏電流（IRRM）測(cè)試范圍；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA

工作方式：

由觸摸液晶屏設(shè)定浪涌電流大小、反向電壓值及反向漏電流保護(hù)值

上述設(shè)備配置輸出及測(cè)試線,但不含測(cè)試用“夾具”。該“夾具”用于滿足元件按照標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試時(shí)所要求的溫度和壓力測(cè)試條件。