技術(shù)特點(diǎn)
l 能夠測(cè)量小至1mm的晶體到或更大的樣品
l 各種樣品架及輸送夾具，用于線鋸、拋光等
l 側(cè)晶方向標(biāo)記選項(xiàng)
l 無(wú)水冷卻
l **精度：0.01°(視晶體質(zhì)量而定)
l 確定單晶的晶格取向
l 使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測(cè)量
l 氣冷式X射線管，無(wú)需水冷
l 適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制
l 手動(dòng)操作(沒(méi)有自動(dòng)化選項(xiàng))
可測(cè)量材料的例子
? 立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP
? 立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3
? 正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4
? 六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(藍(lán)寶石)，GaPO4, La3Ga5SiO14
? 斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3
? 可根據(jù)客戶的要求進(jìn)一步選料
平面方向的標(biāo)記和測(cè)量
在晶圓片的注入和光刻過(guò)程中，需要平面或凹槽作為定位標(biāo)記。切割過(guò)程中，晶片必須正確地對(duì)準(zhǔn)晶圓片上易于切割的晶格面。因此，檢查平面或缺口的位置至關(guān)重要。
為了確定平面或缺口的位置，就需要測(cè)量平面內(nèi)的部件。由于Omega掃描法可以在一次測(cè)量中確定完整的晶體方位，基于此，便可以直接識(shí)別在平面方向或檢查方向的單位或缺口。
DDCOM通過(guò)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)，可以將任何平面方向轉(zhuǎn)換成用戶的特定位置。在必須定義平面方向的情況下，這可以**簡(jiǎn)化將標(biāo)記應(yīng)用到特定平面方向的過(guò)程。
