一、應用領域
該設備用于通過磁控濺射法沉積金屬薄膜、陶瓷膜、介質膜等，用戶可以根據(jù)工藝的需要選擇單靶獨立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設備由主腔室和預備室兩個真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預備室通過高真空插板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。
二、性能參數(shù)
鍍膜室：
1. 有效尺寸約Φ500×550，極限真空：5×10-5Pa;
2. 磁控靶： 3″ 4只，直流射頻兼容，靶基距、角度可調;配電(氣)動擋板;
3. 基片尺寸4″，可實現(xiàn)旋轉、升降;
4. 加熱溫度600℃，控溫精度±1度;
5. 樣品臺公轉，轉速：2-20rpm可調;
6. 偏壓、膜厚儀、薄膜規(guī)可選;
預備室：
1. 有效尺寸約Φ300×350;極限真空：5×10-4Pa;
2. 腔體具有自加熱烘烤除氣功能;
3. 對基片離子濺射清洗功能;
4. 配置基片庫，可一次裝卡4片基片;
5. 磁力取樣桿傳遞基片;
