簡(jiǎn)介

scia Cube 750用于樣品尺寸為 750 mm x 750 mm 的大面積鍍膜和刻蝕。可用于計(jì)量光柵的制造。

設(shè)備原理

通過(guò)微波激勵(lì)反應(yīng)氣體，產(chǎn)生等離子體。通過(guò)射頻偏壓，增強(qiáng)離子轟擊能量。

PECVD的過(guò)程，為使用等離子體輔助反應(yīng)，將氣體原子沉積在基板表面形成薄膜。

RIE的過(guò)程，使用反應(yīng)氣體和離子轟擊，對(duì)基板表面進(jìn)行物理與化學(xué)的刻蝕。

該系統(tǒng)專(zhuān)為大面積高密度等離子體工藝過(guò)程而設(shè)計(jì)，可在較寬范圍內(nèi)調(diào)節(jié)沉積參數(shù)，實(shí)現(xiàn)高速率氣相沉積鍍膜。此外，也可以使用氧氣或鹵素化學(xué)氣體進(jìn)行高各向異性蝕刻，并優(yōu)化刻蝕工藝的選擇比。

特點(diǎn)與應(yīng)用

- 通過(guò)同步線(xiàn)性微波源陣列，實(shí)現(xiàn)大面積等離子體工藝過(guò)程
- 在樣品支架上配置獨(dú)立的射頻偏壓，對(duì)樣品實(shí)現(xiàn)高能轟擊
- 樣品可冷卻至 -10°C
- 樣品面朝下放置，避免顆粒污染
- 可進(jìn)行原位腔室清洗處理
- 全自動(dòng)樣品真空裝載LoadLock與大氣環(huán)境樣品存儲(chǔ)系統(tǒng)

- PECVD工藝

介質(zhì)膜的沉積, 例如封裝、阻擋涂層、電絕緣（SiO2、Si3N4等）
光學(xué)和耐磨涂層（a-C:H，DLC）
納米金剛石和碳納米管的生長(zhǎng)

- RIE工藝

金屬（鎳、鉻、鉑等）的反應(yīng)蝕刻和微結(jié)構(gòu)圖形制備
光學(xué)材料（石英、熔融石英）中光柵和其他結(jié)構(gòu)的蝕刻
光刻膠灰化