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赫爾納供應(yīng)美國Xsis晶體振蕩器CR55/U

參考價(jià)	￥ 2600
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱赫爾納貿(mào)易（大連）有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)CR61/U
所在地大連市
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
更新時(shí)間2023/7/18 14:34:39
訪問次數(shù)1812

產(chǎn)品標(biāo)簽:

振蕩器工業(yè)工廠不銹鋼傳輸

在線詢價(jià)收藏產(chǎn)品進(jìn)入展商展臺(tái)

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公司介紹主營產(chǎn)品

德國赫爾納貿(mào)易公司，是一個(gè)立足德國專注于亞洲，尤其是中國和東南亞市場，經(jīng)營德國高品質(zhì)工業(yè)品的性技術(shù)服務(wù)以及貿(mào)易供應(yīng)商。本著將歐洲的產(chǎn)品和技術(shù)帶到中國的理念，我們始終關(guān)注的自動(dòng)化產(chǎn)品的發(fā)展方向，我們的技術(shù)團(tuán)隊(duì)會(huì)將這些產(chǎn)品充分理解，介紹到中國來。德國赫爾納貿(mào)易公司已經(jīng)是中德工業(yè)品互動(dòng)*的一員。

赫爾納貿(mào)易（大連）有限公司是德國赫爾納貿(mào)易公司在大連設(shè)立的全資德資企業(yè)，立足于有效方便的服務(wù)于中國工業(yè)客戶。我們在中國的8個(gè)省市設(shè)有銷售和服務(wù)辦事處，他們是北京，上海，成都，廣州，沈陽，長春，南京，總部大連。赫爾納貿(mào)易（大連）有限公司將為德國赫爾納貿(mào)易公司有效的服務(wù)中國客戶，做出自己的貢獻(xiàn)。

展開顯示更多內(nèi)容

閥門，泵，液壓氣動(dòng),，儀器儀表,，電子電氣,，通用零部件，實(shí)驗(yàn)室儀器

產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

材料形狀	扁線	產(chǎn)地	進(jìn)口
產(chǎn)品認(rèn)證	126	電線最大外徑	895mm
定時(shí)范圍	86	恒溫范圍	103-960°C
絕緣厚度	75mm	拉伸強(qiáng)度	7547
芯數(shù)	7	搖板數(shù)量	643
儀器種類	其它振蕩器、搖床	振蕩幅度	64
振蕩頻率	360rpm

赫爾納供應(yīng)美國Xsis晶體振蕩器CR55/U 3.7.4微電路模具應(yīng)來自通過 MIL-PRF-38534級(jí) K 級(jí)元件評(píng)定的批次。Xsis晶體振蕩器此外，電離輻射測試應(yīng)在本文第3.7.5段解釋的振蕩器水平上進(jìn)行。

赫爾納供應(yīng)美國Xsis晶體振蕩器CR55/U 產(chǎn)品信息

赫爾納供應(yīng)美國Xsis晶體振蕩器CR55/U

赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢供應(yīng),美國總部直接采購，近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗(yàn),原裝產(chǎn)品,支持選型，為您提供一對(duì)一好的解決方案：貨期穩(wěn)定，快速報(bào)價(jià)，價(jià)格優(yōu)，在中國設(shè)有8大辦事處提供相關(guān)售后服務(wù).

公司簡介：

XSIS電子公司成立于1978年4月n。在XIS,我們門設(shè)計(jì)和制造晶體振蕩器和晶體單位,用于空間,工業(yè),電信和超高溫井下應(yīng)用。

Xsis晶體振蕩器主要產(chǎn)品：

Xsis晶體振蕩器

Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品型號(hào)：

CR55/U , CR60/U , CR61/U , CR64/U , CR67/U , CR69/U

Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品特點(diǎn)：

包裝：90%Al2O3陶瓷，

密封：密封-抗氣密性

焊接重量：0.15Gms

典型，0.2Gms.

熱阻，連接到外殼(0C)：38 C/瓦特焊料回流

溫度/時(shí)間：260°℃大值為10秒。

Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品應(yīng)用：

Xsis晶體振蕩器溫晶體振蕩器XIS電子提供高晶體振蕩器在高溫應(yīng)用。XIS電子公司設(shè)計(jì)并加工了這些振蕩器,以便在-55℃至230℃的擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)工作。高溫材料和經(jīng)過驗(yàn)證的工藝被用來在溫度下提供。

Xsis晶體振蕩器用于老化的 PDA: 除非另有說明，用于老化的 PDA 應(yīng)為2% 或1個(gè)振蕩器，以大者為準(zhǔn)，適用于 + 23 °C 至 + 25 °C 的靜態(tài)測試。此外，臺(tái)達(dá)計(jì)算應(yīng)在老化后執(zhí)行，并應(yīng)計(jì)入 PDA。Xsis晶體振蕩器測量值的三角洲計(jì)算應(yīng)記錄。超過規(guī)定的增量限值的部件將被拒絕并計(jì)入 PDA。

XIS電子制造的高溫晶體振蕩器是為高溫和環(huán)境的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,如,井下鉆井測量,噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)傳感器,高溫航空電子學(xué),高溫耦合高沖擊和振動(dòng)等。通過使用內(nèi)部有工藝制造的精密石英晶體,在41年以上的軍事(QLS)和空間應(yīng)用晶體振蕩器制造經(jīng)驗(yàn)中開發(fā)和改進(jìn),實(shí)現(xiàn)了的良好頻率老化特性。在操作溫度范圍內(nèi)100%測試振蕩器。

Xsis晶體振蕩器總劑量輻射: 按照 MIL-STD-883方法1019，混合微電路晶體振蕩器在暴露于100克拉德的吸收劑量輻射后，應(yīng)能第3.6段的電氣特性。包裝: 陶瓷，90% 分鐘。AL2O3.，重量: 0.4 Gms 大。熱阻，θJC: 40 oC/瓦。完成: 1.27微米小鍍金鎳板。用 Sn60/Pb40釬料 perMIL-PRF-55310進(jìn)行熱釬料鍍錫是可選的，但需要額外的成本?；亓骱附?/span>: 在260 °C 下回流焊接10秒鐘不會(huì)降低性能。3.3密封性: Xsis晶體振蕩器電阻焊接，密封，泄漏率1(10)-8 atm-cc/s 大。3.4標(biāo)記: 零件至少應(yīng)標(biāo)記 Xsis P/N、 Xsis 籠代碼、 ESD 符號(hào)、日期代碼和序列號(hào)。3.5大額定值: 除非另有規(guī)定，大額定值應(yīng)如下: 電源電壓 -0.5至 + 4.5 VDCOperating 空氣溫度范圍 -55 oC 至 + 125 oC 儲(chǔ)存溫度 -55 oC 至 + 125 oC3.6Xsis晶體振蕩器電氣特性: 見表 I3.7雜化元素: 3.7.1石英晶體: 應(yīng)使用高級(jí)培養(yǎng)石英晶體。作為一種選擇，Xsis 將使用額外收費(fèi)的優(yōu)質(zhì) Q 掃頻石英晶體。Xsis晶體振蕩器晶體元件的評(píng)估應(yīng)符合 MIL-PRF-55310。3.7.2水晶安裝: 水晶元件應(yīng)安裝在4點(diǎn)，以便在本文規(guī)定的環(huán)境下提供足的堅(jiān)固性和性能。3.7.3被動(dòng)元件: 建立可靠性(ER) QPL 元件，應(yīng)使用 R 小故障，或根據(jù) MIL-PRF-55310，S 級(jí)，或 MIL-PRF-38534，附錄 C，K 級(jí)適用的元件批量評(píng)估。3.7.4微電路模具應(yīng)來自通過 MIL-PRF-38534級(jí) K 級(jí)元件評(píng)定的批次。Xsis晶體振蕩器此外，電離輻射測試應(yīng)在本文第3.7.5段解釋的振蕩器水平上進(jìn)行。