一、概述

半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的純水、高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，線寬越窄，對(duì)水質(zhì)的要求也越高。目前我國(guó)電子工業(yè)部把電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)分為五個(gè)行業(yè)等級(jí)，為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、Ω.cm，以區(qū)分不同水質(zhì)。
二、工藝簡(jiǎn)介
電子、半導(dǎo)體、液晶顯示、光伏工業(yè)生產(chǎn)在制作過(guò)程中，往往需要使用極其純凈的超純水。如果純水水質(zhì)達(dá)不到生產(chǎn)工藝用水的要求或者水質(zhì)不穩(wěn)定的話，會(huì)影響到后續(xù)工藝的處理效果和使用壽命。在光伏行業(yè)電子管生產(chǎn)中，如其中混入雜質(zhì)，就會(huì)影響電子的發(fā)射，進(jìn)而影響電子管的放大性能及壽命，在顯像管和陰極射線管生產(chǎn)中，其熒光屏內(nèi)壁用噴涂法或沉淀法附著一層熒光物質(zhì)，如其配制純水中含銅在8ppb以上，就會(huì)引起發(fā)光變色;含鐵在50ppb以上就會(huì)使發(fā)光變色、變暗、閃動(dòng)并會(huì)造成氣泡、條跡、漏光點(diǎn)等廢次品。
三、工藝流程
1、采用離子交換方式，其流程如下：自來(lái)水→電動(dòng)閥→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟化水器→中間水箱→低壓泵→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂床→陰樹(shù)脂床→陰陽(yáng)樹(shù)脂混合床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
2、采用兩級(jí)反滲透方式，其流程如下：自來(lái)水→電動(dòng)閥→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟化水器→中間水箱→低壓泵→精密過(guò)濾器→一級(jí)反滲透主機(jī)→PH調(diào)節(jié)→混合器→二級(jí)反滲透主機(jī)（反滲透膜表面帶正電荷）→純水箱→純水泵→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
3、采用反滲透加EDI方式，其流程如下（新工藝性價(jià)比高）：自來(lái)水→電動(dòng)閥→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟化水器→中間水箱→低壓泵→PH值調(diào)節(jié)系統(tǒng)→混合器→精密過(guò)濾器→反滲透→中間水箱→EDI水泵→EDI系統(tǒng)→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
四、三種工藝比較
制備電子工業(yè)超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來(lái)?，F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點(diǎn)分別列于下面：
種采用傳統(tǒng)的離子交換樹(shù)脂其優(yōu)點(diǎn)在于初次投資少，占用的地方少，但缺點(diǎn)就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生，耗費(fèi)大量酸堿，而且對(duì)環(huán)境有一定的破壞。
第二種采用反滲透+離子交換設(shè)備，其特點(diǎn)為初次投資比采用離子交換樹(shù)脂方式要稍高，但離子再生周期相對(duì)要長(zhǎng)，耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹(shù)脂的方式要少很多。是比較經(jīng)濟(jì)與流行的一種工藝。
第三種采用反滲透作預(yù)處理再配上電去離子裝置，這是目前制取超純水*，環(huán)保的的工藝，不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續(xù)制取超純水，對(duì)環(huán)境沒(méi)什么破壞性。其缺點(diǎn)在于初次投資相對(duì)以上兩種方式過(guò)于昂貴。

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