產(chǎn)品簡(jiǎn)介：1700℃立式淬火爐GSL-1700X-80VTQ采用直徑80mm的氧化鋁爐管、下置淬冷水箱結(jié)構(gòu)，專為淬火樣品能從高溫狀態(tài)進(jìn)入冷水或油等淬冷介質(zhì)中快速冷卻而設(shè)計(jì)，以研究材料階段性過渡和微觀結(jié)構(gòu)。
| 產(chǎn)品型號(hào) | 1700℃立式淬火爐GSL-1700X-80VTQ | ||
| 安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：不需要 2、電：AC220V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：如作為CVD系統(tǒng)使用，需自備氣源（標(biāo)準(zhǔn)帶有寶塔接頭，可自費(fèi)改制成為雙卡套接頭） 4、工作臺(tái)：尺寸1200mm×600mm×700mm，承重300kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要 | ||
| 主要特點(diǎn) | 1、雙層不銹鋼殼體，并采用1800℃級(jí)高純度氧化鋁纖維絕熱。 2、爐管配有絕熱管堵，減少管內(nèi)向外熱輻射。 3、爐管頂部配裝帶有不銹鋼針閥的密封法蘭，底部配有閘板閥、真空計(jì)、KF25真空接口。 4、頂部法蘭配有電磁鐵，可懸掛質(zhì)量約500g的樣品，當(dāng)按下溫控單元上的電磁吸盤按鈕時(shí)，樣品就會(huì)墜入淬冷水箱 內(nèi)。 5、采用下置淬冷水箱，便于立即淬火。 6、采用與爐體分離式的獨(dú)立溫控單元，PID控制器，可設(shè)置30段升降溫程序，并內(nèi)置超溫報(bào)警保護(hù)裝置，以及RS48 5通信端口。 7、已通過CE認(rèn)證，所用電器元件（>24V）已通過UL、MET、CSA認(rèn)證。 | ||
| 技術(shù)參數(shù) | 1、電源：?jiǎn)蜗?/span>AC 220V 50Hz/60Hz 4KW 2、爐管：99.8%高純度氧化鋁管，內(nèi)徑Ø74mm，外徑Ø80mm，長(zhǎng)850mm 3、加熱元件：4根1800℃級(jí)U型硅鉬棒 4、加熱區(qū)域：200mm 5、工作溫度：1700℃（<1h），連續(xù)工作800℃-1650℃ 6、升降溫速率：1200℃以上時(shí)為5℃/min，1200℃以下時(shí)為10℃/min 7、控溫精度：±1℃ 8、真空度：機(jī)械泵50mtorr，渦輪分子泵10-5torr | ||
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 尺寸：1080mm×650mm×1500mm；重量：190kg | ||
| 標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1 | 氧化鋁管 | 1根 |
| 2 | 氧化鋁管堵 | 4個(gè) | |
| 3 | 不銹鋼法蘭 | 1套 | |
| 4 | 熱電偶 | 1個(gè) | |
| 可選配件 | 1、PC控制軟件 2、不銹鋼卡套接頭 3、分子泵 | ||
| 注意事項(xiàng) | 1、在釋放樣品前，必須先向爐管內(nèi)充入5psi氬氣，再打開閘板閥。 2、硅鉬棒是在高溫氧化性氣氛下使用的。在高溫氧化氣氛中，其表面生成一層光亮致密的SiO2玻璃膜，能夠保護(hù)硅 鉬棒內(nèi)層不再氧化。因此，不得在400℃-700℃之間使用，否則將會(huì)低溫氧化致使毀壞。 3、氣氛氣體輸入端必須裝配減壓閥。在連續(xù)通氣時(shí)，輸出壓設(shè)置在3psi以下。若壓力水平超過3psi將會(huì)對(duì)爐膛造成 不可逆的損害。 4、如若爐內(nèi)是正壓條件，且未開啟放氣閥時(shí)，切勿進(jìn)行加熱。在加熱過程中要實(shí)時(shí)觀測(cè)真空計(jì)，一旦爐內(nèi)壓力接近 3psi，請(qǐng)立即打開放氣閥，避免不可預(yù)見的損壞。 5、氣體的流量應(yīng)限于<200SCCM（200ml/min）。 6、氧化鋁管的真空極限定義為：在管內(nèi)溫度達(dá)到1500℃時(shí)為止，皆視為安全真空壓力范圍。 | ||
