快速熱處理退火爐簡稱 RTP（Rapid Thermal Processing Furnace），由我公司借鑒了制造工藝，在管式爐的基礎上自主研發(fā)而成，不但擁有極快的升溫速率100℃/S，而且降溫速率也有了質的飛躍，降溫速率100℃/S。我們的工程師們巧妙地利用了冷壁工藝，以至于達到如此快的降溫速度。真正的極速升溫和極速降溫！
腔體采用了雙層石英管結構，外層管進氣，內層管出氣，使得反應氣氛與加工樣品充分而均勻地接觸。
加熱燈管之所以能夠讓硅片快速升溫，是因為光源波長在0.3-4微米之間，石英管壁無法有效吸收這一波段的輻射，而晶片則正好相反。因此，晶片可以吸收輻射能量快速加熱，而此時石英管壁仍維持低溫，即所謂冷壁工藝。
應用領域：
? 快速熱退火 (RTA); 離子注入后退火
? 石墨烯等氣象沉積，碳納米管等外延生長
? 快速熱氧化 (,RTO); 熱氮化 (RTN);
? 硅化 (Silicidation);
? 擴散 (Diffusion);
? 離子注入后退火 (Implant Annealing);
? 電極合金化 (Contact Alloying);
? 晶向化和堅化 (Crystallization and Densification);
主要特點：
? 極速升溫100℃/S，極速降溫100℃/S；
? 雙層爐管結構，氣氛與樣品接觸更均勻；
? 直接測量樣品表面溫度，測溫更精準；
? 爐膛根據(jù)設置可自動左右移動，可以滿足更多的實驗應用；
? 真空度可達9.8×10-4Pa；
技術參數(shù)：
主要技術指標 | 數(shù)據(jù) |
產(chǎn)品型號 | RTP1100 |
極限溫度 | 1200℃ |
額定溫度 | 1100℃ |
控溫精度 | ±1℃ |
溫場均勻性 | ±2℃ |
升溫速率 | 100℃/S |
降溫速率 | 100℃/S |
操控系統(tǒng) | 智能模糊控制 |
操作界面 | 7英寸觸摸屏 |
加熱方式 | 短波紅外線加熱 |
加熱腔體結構 | 雙層管 |
氣體流動方式 | 外管進氣，內管出氣 |
擴充端口 | 可擴充真空測控和FFC供氣 |
過載保護 | 電流過大自動切斷主回路 |
超溫保護 | 溫度出現(xiàn)過高時切斷主回路 |
傳感器類型 | S型單鉑銠 |
反應腔室尺寸 | Φ100*200mm |
式樣有效空間 | 3.5英寸 |
傳感器類型 | 9.8×10-4Pa |
抽氣端口尺寸 | KF16（或Φ8mm寶塔嘴） |
供氣口尺寸 | Φ6.35mm雙卡套（或Φ8mm寶塔嘴） |
| 樣品冷卻方式 | 風冷 |
法蘭冷卻方式 | 水冷 |
| 功率 | 15KW |
| 額定電壓 | AC 380V，50Hz |
外形凈尺寸 | 950*500*560 |
重量 | 約55KG |
